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IRF
IRF智能弹性架构 IRF: interest rate forward 利率期货合约 IRF脉冲响应函数 IRF国际道路联盟 IRF整流器 IRF智能弹性架构 是杭州华三通信技术有限公司（简称：H3C公司）融合高端交换机的技术，在中低端交换机上推出的创新性建设网络核心的新技术。它将帮助用户设计和实施高可用性、高可扩展性和高可靠性的千兆以太网核心和汇聚主干。 在 详情>>
主要参数：典型应用：特点：主要参数：晶体管极性:N沟道漏极电流Id最大值:82A电压Vds最大:75V开态电阻,Rds(on):0.013ohm电压@Rds测量:10V电压Vgs最高:4V功耗:150W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率Pd:150W封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSFET温度@电流测量:25°C满功率温度:25°C热阻:0.75° 详情>>
干扰素调节因子3(IRF-3)是干扰素调节因子家族成员之一，与病毒感染时干扰素基因的表达密切相关，IRF-3组成性表达在多种细胞中，主要存在于细胞浆中，病毒感染等因素可诱导IRF-312C端磷酸化，使IRF-3形成二聚体并移位至细胞核，并与其他转录因子如CBP/p300结合诱导IFNα/β和IFN刺激基因的表达，在抗感染免疫中发挥重要作用。 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：HEXFETFET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：100VId时的Vgs(th)（最大）：4V@250μA在Vds时的输入电容(Ciss)：3130pF@25V功率-最大：200W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3(直引线)包装：管件供应商设备封装： 详情>>
是指干扰素调节因子4（interferonregulatoryfactor4，IRF4）。它是一种分子量为52kD的转录因子蛋白，其在B细胞、T细胞和j巨噬细胞的功能中发挥重要的作用。IRF4在成熟的B细胞（浆细胞）上大量表达，并且在B细胞的分化过程中扮演重要的“角色”。此外IRF4还参与Treg、Th2、Th9和Th17等细胞的发育和分化。 详情>>
基本信息晶体管极性:P漏极电流,Id最大值:-74A电压,Vds最大:55V开态电阻,Rds(on):0.02ohm电压@Rds测量:-10V电压,Vgs最高:-4V功耗:200W封装类型:TO-262针脚数:3频率,Pd:200W封装类型:TO-262封装类型,替代:TO-262AB晶体管类型:MOSFET电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds:55V电压,Vds典型值:55V电流,Id 详情>>
基本参数：晶体管极性：N漏极电流,Id最大值：9A电压,Vds最大：200V开态电阻,Rds(on)：0.4ohm电压@Rds测量：10V电压,Vgs最高：3V功耗：100W封装类型：TO-220针脚数：3功率,Pd：100W封装类型,替代：SOT-78B引脚节距：2.54mm时间,trr典型值：170ns晶体管数：1晶体管类型：MOSFET满功率温度：25°C电容值,Ciss典型值：540pF电 详情>>
IRF740概述：IRF740特性：IRF740参数：IRF740概述：IRF740属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需 详情>>
基本参数：晶体管极性:P漏极电流,Id最大值:-23A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):0.117ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:25V功耗:3.1WP沟道栅极电荷Qg:97nC功率,Pd:140W晶体管类型:MOSFET电压,Vds:100V电压,Vds典型值:100V电容值,Ciss典型值:1300pF电流,Id连续:23A电流,Idm脉冲:76A表面安装器件 详情>>
IRF智能弹性架构IRF:interestrateforward利率期货合约IRF脉冲响应函数IRF国际道路联盟IRF整流器IRF智能弹性架构是杭州华三通信技术有限公司（简称：H3C公司）融合高端交换机的技术，在中低端交换机上推出的创新性建设网络核心的新技术。它将帮助用户设计和实施高可用性、高可扩展性和高可靠性的千兆以太网核心和汇聚主干。在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备 详情>>
基本信息简介IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。基本参数开态电阻,Rds(on):8mohm封装类型:TO-220ABTO-262D2Pak晶体管类型:MOSFET电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds典 详情>>
基本信息类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：HEXFET®FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：8毫欧@62A,10V漏极至源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)@25°C：110AId时的Vgs(th)（最大）：4V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs：146 详情>>
基本信息晶体管极性:NChannel漏极电流,Id最大值:59A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):14mohm电压,Rds测量:10V电压,Vgs最高:20V功耗:160W工作温度范围:-55°Cto+175°C封装类型:TO-220AB/SOT-263针脚数:3特性IR的HEXFET功率场效应管IRF3710采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3710这种特性，加 详情>>
产品型号：irf540n生产厂家：SANYO、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流,Id最大值:33A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):0.052ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:4V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率,Pd:94W器件标记:IRF540N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSF 详情>>
概述：基本信息(基本参数：特性：)概述：IRF640属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最 详情>>
干扰素调节因子3(IRF-3)是干扰素调节因子家族成员之一，与病毒感染时干扰素基因的表达密切相关，IRF-3组成性表达在多种细胞中，主要存在于细胞浆中，病毒感染等因素可诱导IRF-312C端磷酸化，使IRF-3形成二聚体并移位至细胞核，并与其他转录因子如CBP/p300结合诱导IFNα/β和IFN刺激基因的表达，在抗感染免疫中发挥重要作用。 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：HEXFETFET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：100VId时的Vgs(th)（最大）：4V@250μA在Vds时的输入电容(Ciss)：3130pF@25V功率-最大：200W安装类型：通孔封装/外壳：TO-220-3(直引线)包装：管件供应商设备封装： 详情>>
是指干扰素调节因子4（interferonregulatoryfactor4，IRF4）。它是一种分子量为52kD的转录因子蛋白，其在B细胞、T细胞和j巨噬细胞的功能中发挥重要的作用。IRF4在成熟的B细胞（浆细胞）上大量表达，并且在B细胞的分化过程中扮演重要的“角色”。此外IRF4还参与Treg、Th2、Th9和Th17等细胞的发育和分化。 详情>>
基本信息晶体管极性:P漏极电流,Id最大值:-74A电压,Vds最大:55V开态电阻,Rds(on):0.02ohm电压@Rds测量:-10V电压,Vgs最高:-4V功耗:200W封装类型:TO-262针脚数:3频率,Pd:200W封装类型:TO-262封装类型,替代:TO-262AB晶体管类型:MOSFET电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds:55V电压,Vds典型值:55V电流,Id 详情>>
基本参数：晶体管极性：N漏极电流,Id最大值：9A电压,Vds最大：200V开态电阻,Rds(on)：0.4ohm电压@Rds测量：10V电压,Vgs最高：3V功耗：100W封装类型：TO-220针脚数：3功率,Pd：100W封装类型,替代：SOT-78B引脚节距：2.54mm时间,trr典型值：170ns晶体管数：1晶体管类型：MOSFET满功率温度：25°C电容值,Ciss典型值：540pF电 详情>>
IRF740概述：IRF740特性：IRF740参数：IRF740概述：IRF740属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF740为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。新系列的低电荷PowerMOSFETIRF740LC则具有比传统MOSFETs明显更低的栅电荷。利用新型的LCDMOS技术，IRF740LC性能得到增强且无需增加额外的成本，简化了栅极驱动需 详情>>
基本参数：晶体管极性:P漏极电流,Id最大值:-23A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):0.117ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:25V功耗:3.1WP沟道栅极电荷Qg:97nC功率,Pd:140W晶体管类型:MOSFET电压,Vds:100V电压,Vds典型值:100V电容值,Ciss典型值:1300pF电流,Id连续:23A电流,Idm脉冲:76A表面安装器件 详情>>
IRF智能弹性架构IRF:interestrateforward利率期货合约IRF脉冲响应函数IRF国际道路联盟IRF整流器IRF智能弹性架构是杭州华三通信技术有限公司（简称：H3C公司）融合高端交换机的技术，在中低端交换机上推出的创新性建设网络核心的新技术。它将帮助用户设计和实施高可用性、高可扩展性和高可靠性的千兆以太网核心和汇聚主干。在堆叠之前要先了解堆叠设备的规格，一个堆叠最多支持多少个设备 详情>>
基本信息简介IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。基本参数开态电阻,Rds(on):8mohm封装类型:TO-220ABTO-262D2Pak晶体管类型:MOSFET电压Vgs@Rdson测量:10V电压,Vds典 详情>>
基本信息类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：HEXFET®FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：8毫欧@62A,10V漏极至源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)@25°C：110AId时的Vgs(th)（最大）：4V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs：146 详情>>
基本信息晶体管极性:NChannel漏极电流,Id最大值:59A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):14mohm电压,Rds测量:10V电压,Vgs最高:20V功耗:160W工作温度范围:-55°Cto+175°C封装类型:TO-220AB/SOT-263针脚数:3特性IR的HEXFET功率场效应管IRF3710采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。IRF3710这种特性，加 详情>>
产品型号：irf540n生产厂家：SANYO、IR、VISHAY描述：晶体管极性:N沟道漏极电流,Id最大值:33A电压,Vds最大:100V开态电阻,Rds(on):0.052ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:4V功耗:94W封装类型:TO-220AB针脚数:3功率,Pd:94W器件标记:IRF540N封装类型:TO-220AB引脚节距:2.54mm晶体管数:1晶体管类型:MOSF 详情>>
概述：基本信息(基本参数：特性：)概述：IRF640属于Vishay的第三代PowerMOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最 详情>>
