IRF630

基本参数：

晶体管极性：N

漏极电流, Id 最大值：9A

电压, Vds 最大：200V

开态电阻, Rds(on)：0.4ohm

电压 @ Rds测量：10V

电压, Vgs 最高：3V

功耗：100W

封装类型：TO-220

针脚数：3

功率, Pd：100W

封装类型, 替代：SOT-78B

引脚节距：2.54mm

时间, trr 典型值：170ns

晶体管数：1

晶体管类型：MOSFET

满功率温度：25C

电容值, Ciss 典型值：540pF

电流, Idm 脉冲：36A

表面安装器件：通孔安装

针脚格式：1G 2+插口 D 3S

阈值电压, Vgs th 最低：2V

阈值电压, Vgs th 最高：4V