IRF640

概述：

基本信息(基本参数： 特性：)

概述：

IRF640属于Vishay的第三代Power MOSFETs。IRF640为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。

TO-220封装的IRF640普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF640得到业内的普遍认可。D2PAK封装的IRF640适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF640的D2PAK封装可适应高强度电流的应用。IRF640的TO-262则适用于低端通孔安装。

基本信息

基本参数：

IRF640，采用TO-220AB 封装方式。

晶体管极性:N沟道

漏极电流, Id 最大值:18A

电压, Vds 最大:200V

开态电阻, Rds(on):0.15ohm

电压 @ Rds测量:10V

电压, Vgs 最高:4V

功耗:150W

封装类型:TO-220AB

针脚数:3

功率, Pd:150W

封装类型:TO-220AB

晶体管类型:MOSFET

热阻, 结至外壳 A:1C/W

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:200V

电流, Id 连续:18A

电流, Idm 脉冲:72A

表面安装器件:通孔安装

阈值电压, Vgs th 典型值:4V

阈值电压, Vgs th 最高:4V

特性：

贴片安装 IRF640S

可选卷带包装 IRF640S

低端通孔安装 IRF640L

动态dv/dt率

150℃工作温度 IRF640S、IRF640L

快速转换速率

可恢复性雪崩测定

并行简易

仅需简单驱动

无铅环保