“位错”查询结果_在线百科全书查询
位错
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托伏尔特拉（Vito Volterra）于1905年提出。 位错的“几何概念” 详情>>
半导体Si、Ge晶体中最简单的一种位错就是60度棱位错。因为在(111)晶面内，位错线的方向是<110>方向，该方向与晶面滑移方向互相构成60度的夹角，故有60度棱位错之称。60度棱位错对半导体性能的影响：①该位错线上存在有一串悬挂键,可以接受电子而成为一串负电中心,起受主作用，也可以失去电子而成为一串正电中心,起施主作用；这些受主或施主串形成的能级实际上组成一个一维的很窄的能带。实验 详情>>
单位位错：实际晶体中存在的位错的柏氏矢量仅限少于最短的平移矢量（即最近邻的两个原子间距），具有这种柏氏矢量的位错称为单位位错。因此单位位错的柏氏矢量一定平行于晶体的最密排方向。单位位错又叫全位错或完整位错。 详情>>
基本信息商品描述(内容简介编辑推荐)基本信息出版社:科学出版社;第1版(2012年1月9日)精装:260页正文语种:简体中文开本:16ISBN:9787030330093条形码:9787030330093商品尺寸:26.2x19.4x2cm商品重量:921g品牌:科学出版社ASIN:B007CW9LGS商品描述内容简介《地震位错理论》是作者孙文科近20年来关于球形地球模型位错理论的一系列理论与应用 详情>>
在晶体位错线中，既不垂直也不平行于柏氏矢量b的位错线称为混合位错。混合位错可分解成螺型位错bs=bcosΦ和刃型位错be=bsinΦ。 详情>>
概述原理特点概述可动位错extendeddisloeation一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为可动位错。根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的可动位错反应。原理此式给出 详情>>
学科：构造地质学词目：螺旋位错英文：screwdislocation释文：螺旋位错是指位错线与伯格斯矢量相平行的位错。 详情>>
在fcc晶体中形成两个{111}面的夹角上，由三个不完全位错和两个层错构成的不能运动的位错组态。 详情>>
对于高层错能金属及合金(如Fe、Al合金),晶粒细化通过位错的产生和运动形成位错墙。退火时，会消除板材内部的残余应力和内应变，并推动位错的运动，在运动过程中使得一部分柏氏矢量方向相反的位错相遇并消失，或者一部分位错有序化形成位错网或位错墙；随着退火温度的升高，位错墙会互相连接合并形成亚晶界。 详情>>
位错强化是钢中常用的一种强化机制，主要着眼与位错数量与组态对钢塑变抗力的影响。 详情>>
若材料中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位 详情>>
学科：构造地质学词目：位错源英文：dislocationalsource释文：位错源是晶体中位错开始发生的部位。位错可在晶体生成过程中产生，也可在晶体形成后于应力集中处开始发生。 详情>>
主要方式弗兰克。里德位错源若某滑移面有一段刃型位错AB，两端被位错网节点钉住不能运动。沿其垂涎线方向加切应力使位错沿滑移面运动，由于两端固定，所以只能使位错线弯曲。 详情>>
学科：构造地质学词目：自由位错英文：freedislocation释文：自由位错是指晶体中成单个离散而没有被编织到任何位错组织（如位错壁）中去的位错。 详情>>
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（VitoVolterra）于1905年提出。理想位错主要有两种形式：刃位错 详情>>
不全位错：除了单位位错外，晶体中还可能形成一些柏氏矢量小于滑移方向的原子间距的位错，即柏氏矢量不是从一个原子到另一个位置，而是从原子位置到结点之间的某一位置，这类位错称不全位错。换句话说，柏氏矢量b不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”。 详情>>
（1）基本概念：（2）半导体中位错的电性质及其影响：(①位错可起一定的施主和受主作用：②位错可使能带发生变化：③位错是散射载流子的中心：④位错起复合中心作用：⑤位错将促进杂质的沉积：)晶体位错（Dislocation）：（1）基本概念：位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严重的影响。通过化学腐蚀可 详情>>
晶体中的位错环（Dislocationring）是晶体中的一种环形刃位错线。一般的刃位错是一种贯穿整个晶体的一种线状晶体缺陷，而位错环是构成环状的一种晶体缺陷。位错环的形成机理：在温度较高时,晶体中有较多的空位(热缺陷),当许多空位结合在一起时即成为一个较大的空隙；当空隙一塌陷,就在晶体中产生出环形的刃位错线——位错环。位错环上与柏氏矢量垂直的两处是刃型位错，与柏氏矢量平行的两处是螺型位错，其余部 详情>>
简介原理特点简介扩展位错extendeddislocation一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为扩展位错。原理扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk式中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的 详情>>
螺型位错;螺旋位错;screwdislocation;Burgersdislocation又称螺旋位错。一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。围绕位错线原子的位移矢量称为滑移矢量或伯格斯(Burgers)矢量，对于螺型位错，位错线平行于伯格斯矢量。 详情>>
刃位错：一个刃位错附近的晶面排列情况，图中黑线代表伯格斯矢量方向，蓝线为位错线。刃位错附近的原子排列情况，沿平行于位错线方向观察若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称这种不规则排列为一个刃位错。概述概念分类特点关联刃位错的攀移概述刃位错附近的原子面会发生朝位错线方向的扭曲。刃位错可由两个量唯一地确定：第一个是位错线，即多余半原子面终结的那一条直线；第二个是伯格斯矢量（Burgersvect 详情>>
在金属晶体中，由于某种原因，晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半原子面。这个多余的半原子面有如切入晶体的刀片，刀片的刃口线即为位错线。这种线缺陷称为刃型位错。半原子面在上面的称正刃型位错，半原子面在下面的称负刃型位错。 详情>>
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（VitoVolterra）于1905年提出。位错的“几何概念”(刃位错螺位 详情>>
学科：构造地质学词目：位错壁英文：dislocationwall释文：位错壁是由刃型位错的攀移或螺型位错的平滑移而形成的，常构成亚晶粒的边界。 详情>>
介绍类型性质应用介绍位错滑移（dislocationglide）是指位错在晶体内沿滑移面的运动。在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，称为位错滑移。其运动方式类似蠕虫爬行，是沿着滑移面逐步传播、移动的。位错滑移是指在外力作用下，位错线在期滑移面（即位错线与伯氏矢量b构成的晶面）上的运动，结果导致晶体永久变形。位错滑移是位错运动的一种方式，除此之外为错还有一种运动方式是位错攀 详情>>
学科：材料科学词目：位错交割英文：dislocationalintersect释文：位错互相切割的过程称位错交割。穿过滑移面的位错称为林位错，它会阻碍在滑移面上位错的运动；若是应力足够大，滑动的位错将切过林位错继续前进，形成位错交割。 详情>>
英文名：dislocationdensity在通常的晶体中都存在大量的位错，而这些位错的量就用位错密度来表示。位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。 详情>>
词语解释位错机理攀移力激活能应用与实验观察词语解释学科：构造地质学词目：位错攀移英文：dislocationclimb释文：位错攀移是指刃型位错在晶体内沿着垂直于滑移面方向上的运动。位错攀移是一种扩散过程，借助于空位或质点的扩散与运动，刃型位错向上、向下攀移一定的原子间距。位错机理位错的攀移是靠原子或空位的转移来实现的。当原子从多余半原子面下端转移到别处去，或空位从别处转移到半原子面的下端时，位错 详情>>
学科：材料科学词目：位错塞积英文：dislocationblock释文：位错运动遇到障碍（晶界、第二相粒子以及不动位错等），如果其向前运动的力不能克服障碍物的力，位错就会停在障碍物面前，由同一个位错源放出的其他位错也会被阻在障碍物前，这种现象称为位错塞积。紧挨障碍物的那个位错就被称为领头位错或领先位错，塞积的位错数目越多，领头位错对障碍物的作用力就越大，达到一定程度时，就会引起邻近晶粒的位错源开动 详情>>
位错线（dislocationalline）：晶体或晶格内滑移面上已滑动区的边界线称位错线或位错环。位错线的形成和发展可用FrankRead源的原理解释：当应力超过临界剪应力时，位错线扩张，形成内外两部分，外部位错逐渐扩大，内部位错线恢复原状，在外力作用下，不断产生新位错环，因而得到很大的滑移量。 详情>>
单位位错：实际晶体中存在的位错的柏氏矢量仅限少于最短的平移矢量（即最近邻的两个原子间距），具有这种柏氏矢量的位错称为单位位错。因此单位位错的柏氏矢量一定平行于晶体的最密排方向。单位位错又叫全位错或完整位错。 详情>>
基本信息商品描述(内容简介编辑推荐)基本信息出版社:科学出版社;第1版(2012年1月9日)精装:260页正文语种:简体中文开本:16ISBN:9787030330093条形码:9787030330093商品尺寸:26.2x19.4x2cm商品重量:921g品牌:科学出版社ASIN:B007CW9LGS商品描述内容简介《地震位错理论》是作者孙文科近20年来关于球形地球模型位错理论的一系列理论与应用 详情>>
在晶体位错线中，既不垂直也不平行于柏氏矢量b的位错线称为混合位错。混合位错可分解成螺型位错bs=bcosΦ和刃型位错be=bsinΦ。 详情>>
概述原理特点概述可动位错extendeddisloeation一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为可动位错。根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的可动位错反应。原理此式给出 详情>>
学科：构造地质学词目：螺旋位错英文：screwdislocation释文：螺旋位错是指位错线与伯格斯矢量相平行的位错。 详情>>
在fcc晶体中形成两个{111}面的夹角上，由三个不完全位错和两个层错构成的不能运动的位错组态。 详情>>
对于高层错能金属及合金(如Fe、Al合金),晶粒细化通过位错的产生和运动形成位错墙。退火时，会消除板材内部的残余应力和内应变，并推动位错的运动，在运动过程中使得一部分柏氏矢量方向相反的位错相遇并消失，或者一部分位错有序化形成位错网或位错墙；随着退火温度的升高，位错墙会互相连接合并形成亚晶界。 详情>>
位错强化是钢中常用的一种强化机制，主要着眼与位错数量与组态对钢塑变抗力的影响。 详情>>
若材料中的位错线与材料表面相交（俗称位错“露头”），则交点处附近由于位错应力场的存在，其化学稳定性将低于表面的其它部分。若用酸性腐蚀剂（如氢氟酸和硝酸的混合溶液）对这样的表面进行腐蚀，则位错“露头”处的腐蚀速度将远高于其它部分，可形成一个“腐蚀坑”。再利用一些表面显微观察技术（如扫描电子显微镜、干涉显微镜等等）便可以观察到位错的“露头”位置。下图中展示了在干涉显微镜下，经上述方法制备得到硅片表面位 详情>>
学科：构造地质学词目：位错源英文：dislocationalsource释文：位错源是晶体中位错开始发生的部位。位错可在晶体生成过程中产生，也可在晶体形成后于应力集中处开始发生。 详情>>
主要方式弗兰克。里德位错源若某滑移面有一段刃型位错AB，两端被位错网节点钉住不能运动。沿其垂涎线方向加切应力使位错沿滑移面运动，由于两端固定，所以只能使位错线弯曲。 详情>>
学科：构造地质学词目：自由位错英文：freedislocation释文：自由位错是指晶体中成单个离散而没有被编织到任何位错组织（如位错壁）中去的位错。 详情>>
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（VitoVolterra）于1905年提出。理想位错主要有两种形式：刃位错 详情>>
不全位错：除了单位位错外，晶体中还可能形成一些柏氏矢量小于滑移方向的原子间距的位错，即柏氏矢量不是从一个原子到另一个位置，而是从原子位置到结点之间的某一位置，这类位错称不全位错。换句话说，柏氏矢量b不等于单位点阵矢量或其整数倍的为“不全位错”或称“部分位错”。 详情>>
（1）基本概念：（2）半导体中位错的电性质及其影响：(①位错可起一定的施主和受主作用：②位错可使能带发生变化：③位错是散射载流子的中心：④位错起复合中心作用：⑤位错将促进杂质的沉积：)晶体位错（Dislocation）：（1）基本概念：位错是晶体中局部滑移区域的边界线，即是晶体中的一种线缺陷；它是决定金属等晶体力学性质的基本因素,也对晶体的其他许多性质（包括晶体生长）有着严重的影响。通过化学腐蚀可 详情>>
晶体中的位错环（Dislocationring）是晶体中的一种环形刃位错线。一般的刃位错是一种贯穿整个晶体的一种线状晶体缺陷，而位错环是构成环状的一种晶体缺陷。位错环的形成机理：在温度较高时,晶体中有较多的空位(热缺陷),当许多空位结合在一起时即成为一个较大的空隙；当空隙一塌陷,就在晶体中产生出环形的刃位错线——位错环。位错环上与柏氏矢量垂直的两处是刃型位错，与柏氏矢量平行的两处是螺型位错，其余部 详情>>
简介原理特点简介扩展位错extendeddislocation一个全位错分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，这个过程称为位错的扩展，形成的缺陷体系称为扩展位错。原理扩展位错根据位错伯格斯矢量守恒的定则，应有b=bk式中b是未扩展全位错的伯格斯矢量，瓦是分解后诸不全位错的伯格斯矢量。当然还要求扩展后体系的能量小于(至多等于)扩展前全位错的能量护)乏b又+层错能最常被引述的例子是fcc晶体中的 详情>>
螺型位错;螺旋位错;screwdislocation;Burgersdislocation又称螺旋位错。一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移，原子平面沿着一根轴线盘旋上升，每绕轴线一周，原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。围绕位错线原子的位移矢量称为滑移矢量或伯格斯(Burgers)矢量，对于螺型位错，位错线平行于伯格斯矢量。 详情>>
刃位错：一个刃位错附近的晶面排列情况，图中黑线代表伯格斯矢量方向，蓝线为位错线。刃位错附近的原子排列情况，沿平行于位错线方向观察若一个晶面在晶体内部突然终止于某一条线处，则称这种不规则排列为一个刃位错。概述概念分类特点关联刃位错的攀移概述刃位错附近的原子面会发生朝位错线方向的扭曲。刃位错可由两个量唯一地确定：第一个是位错线，即多余半原子面终结的那一条直线；第二个是伯格斯矢量（Burgersvect 详情>>
在金属晶体中，由于某种原因，晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半原子面。这个多余的半原子面有如切入晶体的刀片，刀片的刃口线即为位错线。这种线缺陷称为刃型位错。半原子面在上面的称正刃型位错，半原子面在下面的称负刃型位错。 详情>>
位错又可称为差排（英语：dislocation），在材料科学中，指晶体材料的一种内部微观缺陷，即原子的局部不规则排列（晶体学缺陷）。从几何角度看，位错属于一种线缺陷，可视为晶体中已滑移部分与未滑移部分的分界线，其存在对材料的物理性能，尤其是力学性能，具有极大的影响。“位错”这一概念最早由意大利数学家和物理学家维托·伏尔特拉（VitoVolterra）于1905年提出。位错的“几何概念”(刃位错螺位 详情>>
学科：构造地质学词目：位错壁英文：dislocationwall释文：位错壁是由刃型位错的攀移或螺型位错的平滑移而形成的，常构成亚晶粒的边界。 详情>>
介绍类型性质应用介绍位错滑移（dislocationglide）是指位错在晶体内沿滑移面的运动。在剪应力作用下，原子发生位错是在包含其伯格斯矢量的平面上运动，称为位错滑移。其运动方式类似蠕虫爬行，是沿着滑移面逐步传播、移动的。位错滑移是指在外力作用下，位错线在期滑移面（即位错线与伯氏矢量b构成的晶面）上的运动，结果导致晶体永久变形。位错滑移是位错运动的一种方式，除此之外为错还有一种运动方式是位错攀 详情>>
学科：材料科学词目：位错交割英文：dislocationalintersect释文：位错互相切割的过程称位错交割。穿过滑移面的位错称为林位错，它会阻碍在滑移面上位错的运动；若是应力足够大，滑动的位错将切过林位错继续前进，形成位错交割。 详情>>
英文名：dislocationdensity在通常的晶体中都存在大量的位错，而这些位错的量就用位错密度来表示。位错密度定义为单位体积晶体中所含的位错线的总长度。位错密度的另一个定义是：穿过单位截面积的位错线数目，单位也是1/平方厘米。 详情>>
词语解释位错机理攀移力激活能应用与实验观察词语解释学科：构造地质学词目：位错攀移英文：dislocationclimb释文：位错攀移是指刃型位错在晶体内沿着垂直于滑移面方向上的运动。位错攀移是一种扩散过程，借助于空位或质点的扩散与运动，刃型位错向上、向下攀移一定的原子间距。位错机理位错的攀移是靠原子或空位的转移来实现的。当原子从多余半原子面下端转移到别处去，或空位从别处转移到半原子面的下端时，位错 详情>>
学科：材料科学词目：位错塞积英文：dislocationblock释文：位错运动遇到障碍（晶界、第二相粒子以及不动位错等），如果其向前运动的力不能克服障碍物的力，位错就会停在障碍物面前，由同一个位错源放出的其他位错也会被阻在障碍物前，这种现象称为位错塞积。紧挨障碍物的那个位错就被称为领头位错或领先位错，塞积的位错数目越多，领头位错对障碍物的作用力就越大，达到一定程度时，就会引起邻近晶粒的位错源开动 详情>>
位错线（dislocationalline）：晶体或晶格内滑移面上已滑动区的边界线称位错线或位错环。位错线的形成和发展可用FrankRead源的原理解释：当应力超过临界剪应力时，位错线扩张，形成内外两部分，外部位错逐渐扩大，内部位错线恢复原状，在外力作用下，不断产生新位错环，因而得到很大的滑移量。 详情>>
