“n120”查询结果_在线百科全书查询
基本信息：晶体管类型:IGBT集电极直流电流:50A饱和电压,Vcesat最大:2.5V最大功耗:312W电压,Vceo:1200V工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-3P上升时间:50ns功率,Pd:312W功耗:312W封装类型:TO-3P晶体管极性:NPN最大连续电流,Ic:50A电压,Vces:1200V电流,Ic@Vce饱和:25A电流,Icm脉冲:75A表面安装器件 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：封装:TO-3P基本参数：晶体管类型:IGBT集电极直流电流:50A饱和电压,Vcesat最大:2.5V最大功耗:312W电压,Vceo:1200V工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-3PSVHC(高度关注物质):Cobaltdichloride(18-Jun-2010)上升时间:50ns功率,Pd:312W功耗:312W封装类型:TO-3P晶体管 详情>>
基本参数：特征：基本参数：种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：NF/音频(低频)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：IGBT绝缘栅比极开启电压：1200（V）夹断电压：1200（V）低频跨导：1（μS）极间电容：1（pF）低频噪声系数：1（dB）最大漏极电流：11（mA）最大耗散功率：11（mW）功率耗散:298W封装:Tube配置:Single封装/箱体:TO-247 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：封装:TO-3P基本参数：晶体管类型:IGBT集电极直流电流:50A饱和电压,Vcesat最大:2.5V最大功耗:312W电压,Vceo:1200V工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-3PSVHC(高度关注物质):Cobaltdichloride(18-Jun-2010)上升时间:50ns功率,Pd:312W功耗:312W封装类型:TO-3P晶体管 详情>>
基本参数：特征：基本参数：种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：NF/音频(低频)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：IGBT绝缘栅比极开启电压：1200（V）夹断电压：1200（V）低频跨导：1（μS）极间电容：1（pF）低频噪声系数：1（dB）最大漏极电流：11（mA）最大耗散功率：11（mW）功率耗散:298W封装:Tube配置:Single封装/箱体:TO-247 详情>>
