“HGTG”查询结果_在线百科全书查询
基本参数：特征：基本参数：种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型用途：NF/音频(低频)封装外形：P-DIT/塑料双列直插材料：IGBT绝缘栅比极开启电压：1200（V）夹断电压：1200（V）低频跨导：1（μS）极间电容：1（pF）低频噪声系数：1（dB）最大漏极电流：11（mA）最大耗散功率：11（mW）功率耗散:298W封装:Tube配置:Single封装/箱体:TO-247 详情>>
基本信息制造商:FairchildSemiconductor产品种类:IGBT晶体管封装/箱体:TO-247集电极—发射极最大电压VCEO:600V集电极—射极击穿电压:600V集电极—射极饱和电压:1.8V栅极/发射极最大电压:20V集电极最大连续电流Ic:75A栅极—射极漏泄电流:+/-250nA功率耗散:463W 详情>>
基本参数：制造商:Fairchild产品种类:IGBT晶体管封装/箱体:TO-247集电极—发射极最大电压VCEO:600V集电极—射极击穿电压:600V集电极—射极饱和电压:1.8V栅极/发射极最大电压:20V集电极最大连续电流Ic:75A栅极—射极漏泄电流:+/-250nA功率耗散:463W配置:Single行情分析：HGTG30N60A4D该型号近期市场询价比较频繁，而厂家报价也比较积极，1 详情>>
基本信息制造商:FairchildSemiconductor产品种类:IGBT晶体管封装/箱体:TO-247集电极—发射极最大电压VCEO:600V集电极—射极击穿电压:600V集电极—射极饱和电压:1.8V栅极/发射极最大电压:20V集电极最大连续电流Ic:75A栅极—射极漏泄电流:+/-250nA功率耗散:463W 详情>>
基本参数：制造商:Fairchild产品种类:IGBT晶体管封装/箱体:TO-247集电极—发射极最大电压VCEO:600V集电极—射极击穿电压:600V集电极—射极饱和电压:1.8V栅极/发射极最大电压:20V集电极最大连续电流Ic:75A栅极—射极漏泄电流:+/-250nA功率耗散:463W配置:Single行情分析：HGTG30N60A4D该型号近期市场询价比较频繁，而厂家报价也比较积极，1 详情>>
