“651T”查询结果_在线百科全书查询

基本参数：PZT651T1G，采用SOT-223/–55to+150封装方式。集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V)：60集电极最大电流Ic(max)(mA)：2000直流电流增益hFE最小值(dB)：75封装/温度(℃)：SOT-223/–55to+150晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：2A电压-集电极发射极击穿（最大）：60VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV 详情>>

PZT 651 651T T1 1G