PZT651T1G
基本参数:
PZT651T1G,采用SOT-223/–55 to +150封装方式。
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):60
集电极最大电流Ic(max)(mA):2000
直流电流增益hFE最小值(dB):75
封装/温度(℃):SOT-223/–55 to +150
晶体管类型:NPN
电流-集电极(Ic)(最大):2A
电压-集电极发射极击穿(最大):60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 200mA, 2A
功率-最大:800mW
工作温度:150 C(最大)
频率-转换:75MHz
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT223
无铅状态:无铅
极性:N沟道
包装:剪切带(CT)