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热电子
热电子（hotelectron） 半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。 详情>>
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现象：沟道热电子注入(Channelhotelectroninjection,CHE)效应是小尺寸MOSFET中热电子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注入效应，即是沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。产生的原理：因为当沟道中电场很强时,由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的载流子,若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越Si-SiO2界面势垒(电子势垒=3.15eV,空穴势垒=3.8e 详情>>
热电子（hotelectron）半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。 详情>>
一、热电子晶体管原理二、几种典型的热电子晶体管一、热电子晶体管原理像常规的双极晶体管是依靠电子和空穴来工作的一样，热电子晶体管是依靠冷电子(与晶格热平衡的电子)和热电子来工作的。冷电子提供器件中不同层的电导，热电子携带输入信息，并使之在器件中放大。这种器件的典型结构很类似于双极晶体管，也具有发射区(E)、基区(B)和集电区(C)，两者的根本差别在于，在热电子晶体管的基区两侧各有一个势垒与发射区和集 详情>>
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超导热电子晶体管，即超导基区热电子晶体管（Superconductorbasehot-electrontransistor，SUBHT）：这是一种超导体/半导体兼容的器件。其原理性的基本结构见图示。这种晶体管的基区是超导体，因此其基极电阻很小，从而具有很好的高频、高速和低噪声性能。但是它所能承受的集电极电压很低，为了改进这一点，就在超导体基区与集电区之间加设一个半导体层，这就发展出了所谓超导基区半 详情>>
又称爱迪生效应.爱迪生1883年发现的,加热金属使其中的大量电子克服表面势垒而逸出的现象.与气体分子相似,金属内自由电子作无规则的热运动,其速率有一定的分布.在金属表面存在着阻碍电子逃脱出去的作用力,电子逸出需克服阻力作功,称为逸出功.在室温下,只有极少量电子的动能超过逸出功,从金属表面逸出的电子微乎其微.一般当金属温度上升到1000℃以上时,动能超过逸出功的电子数目极具增多,大量电子由金属中逸出 详情>>
由于在器件尺寸缩小的过程中，电源电压不可能和器件尺寸按同样比例缩小，这样导致MOS器件内部电场增强。当MOS器件沟道中的电场强度超过100kV/cm时，电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子。高能量的热电子将严重影响MOS器件和电路的可靠性。热电子效应主要表现在以下三个方面：（1）、热电子向栅氧化层中发射（2）、热电子 详情>>
现象：沟道热电子注入(Channelhotelectroninjection,CHE)效应是小尺寸MOSFET中热电子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注入效应，即是沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。产生的原理：因为当沟道中电场很强时,由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的载流子,若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越Si-SiO2界面势垒(电子势垒=3.15eV,空穴势垒=3.8e 详情>>
热电子（hotelectron）半导体中的电子可以吸收一定能量（如光子、外电场等）而被激发，处于激发态的电子称为热电子，处于激发态的电子可以向较低的能级跃迁，如果以光辐射的形式释放出能量，这就是半导体的发光现象。 详情>>
一、热电子晶体管原理二、几种典型的热电子晶体管一、热电子晶体管原理像常规的双极晶体管是依靠电子和空穴来工作的一样，热电子晶体管是依靠冷电子(与晶格热平衡的电子)和热电子来工作的。冷电子提供器件中不同层的电导，热电子携带输入信息，并使之在器件中放大。这种器件的典型结构很类似于双极晶体管，也具有发射区(E)、基区(B)和集电区(C)，两者的根本差别在于，在热电子晶体管的基区两侧各有一个势垒与发射区和集 详情>>
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超导热电子晶体管，即超导基区热电子晶体管（Superconductorbasehot-electrontransistor，SUBHT）：这是一种超导体/半导体兼容的器件。其原理性的基本结构见图示。这种晶体管的基区是超导体，因此其基极电阻很小，从而具有很好的高频、高速和低噪声性能。但是它所能承受的集电极电压很低，为了改进这一点，就在超导体基区与集电区之间加设一个半导体层，这就发展出了所谓超导基区半 详情>>
又称爱迪生效应.爱迪生1883年发现的,加热金属使其中的大量电子克服表面势垒而逸出的现象.与气体分子相似,金属内自由电子作无规则的热运动,其速率有一定的分布.在金属表面存在着阻碍电子逃脱出去的作用力,电子逸出需克服阻力作功,称为逸出功.在室温下,只有极少量电子的动能超过逸出功,从金属表面逸出的电子微乎其微.一般当金属温度上升到1000℃以上时,动能超过逸出功的电子数目极具增多,大量电子由金属中逸出 详情>>
由于在器件尺寸缩小的过程中，电源电压不可能和器件尺寸按同样比例缩小，这样导致MOS器件内部电场增强。当MOS器件沟道中的电场强度超过100kV/cm时，电子在两次散射间获得的能量将可能超过它在散射中失去的能量，从而使一部分电子的能量显著高于热平衡时的平均动能而成为热电子。高能量的热电子将严重影响MOS器件和电路的可靠性。热电子效应主要表现在以下三个方面：（1）、热电子向栅氧化层中发射（2）、热电子 详情>>
