“沟道”查询结果_在线百科全书查询
沟道（channel）半导体中由于外加电场引起的沿长度方向的导电层。如MOS结构中当施加外部电场时在半导体表面形成的积累层及反型层。 详情>>
学科：黄土地质学词目：沟道坝系英文：serialdamingully释文：沟道坝系是以沟道小沟域为单元，在沟道内建立的以拦泥、淤地、生产为目的的大、中、小规模的淤地坝工程体系。 详情>>
Channeldoping，沟道掺杂这是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。 详情>>
沟道长度调制效应MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应 详情>>
现象：沟道热电子注入(Channelhotelectroninjection,CHE)效应是小尺寸MOSFET中热电子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注入效应，即是沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。产生的原理：因为当沟道中电场很强时,由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的载流子,若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越Si-SiO2界面势垒(电子势垒=3.15eV,空穴势垒=3.8e 详情>>
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Channelavalanchebreakdown沟道雪崩击穿是小尺寸MOSFET中的一种强电场效应。在短沟道n-MOSFET中，沟道中较强的电场，可使沟道中的电子通过碰撞电离和雪崩倍增而产生出大量的电子-空穴对(在漏端夹断区更明显)，倍增出的电子将被漏极吸收、并使漏极电流剧增而导致器件击穿——沟道雪崩击穿；与此同时也将产生较大的寄生衬底电流(空穴被衬底吸收所致)。短沟道MOSFET发生击穿而失效 详情>>
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缓变沟道近似，Gradualchannelapproximation（GCA）GCA是用来分析长沟道场效应晶体管伏安特性的一种近似模型。对于JFET，GCA即是：①认为在栅结势垒中主要是垂直沟道（x方向）的电场E(x)的作用,而沿着沟道方向（y方向）的电场E(y)很弱，即有E(x)>>E(y)，并且等位面在栅结势垒中是⊥x方向的(即与沟道平行),则沟道宽度沿着y方向基本上不变，或者说是 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:黄土高原沟道坝系相对稳定原理与工程规划研究作者：张红武出版社：黄河水利出版社出版时间：2010-6-1ISBN:9787807345732开本：16开定价:45.00元内容简介本书通过相似分析及模型试验的验证，提出了沟道坝系模型试验的方法，并从试验的角度研究论述了裸地沟坡模型的降雨产沙特性；研究了黄河下游河道冲淤及河床形态变化对侵蚀产沙区的响应机理；论证了黄土 详情>>
图书信息：内容简介目录图书信息：作 者：西北电力设计院编出版社：中国电力出版社出版时间：1999-4-1版 次：1页 数：79字 数：116000印刷时间：1999-4-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787801259592包 装：平装内容简介本手册共分5章，第1～2章为地下沟道的一般规定，要求和荷载设计，第3～4章为沟道的土压力计算和结构的承载力计算，第5章为地下沟道的构造 详情>>
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图书信息坡面沟道水力侵蚀及黄土坡沟耦合系统径流输沙能力试验研究定 价：￥35.00作 者：田凯，姚文艺，李小青 著出版社：黄河水利出版社出版时间：2010-12-1开 本：大16开ISBN：9787807349648 详情>>
主要特点主要用途及实用范围技术参数主要特点外圈沟道磨床为全自动数控轴承内表面磨床，采用日本三菱PLC系统（双轴）+位控模块控制；机床各主要部件动作都可在机床电气箱操纵面板或触摸屏上单独调整，操作简单，调整方便，稳定可靠。外圈沟道磨床采用内圆布局方式。电磁无心夹具支承定位，工作台往复切入磨削。砂轮轴采用高刚度大功率油雾润滑电主轴。三菱伺服电机驱动滚珠丝杠副和双V型滚针导轨，从而带动床头滑板进给和砂轮 详情>>
英文名称：Short-channeleffects解释一：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。包括：（1）影响阈值电压的短沟、窄沟效应沟道长度减小到一定程度后,源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大,栅下面的硅表面形成反型层所需的电荷量减小,因而阈值电压减小。同时衬底内耗尽区沿沟道宽度侧向展宽部分的电荷 详情>>
沟道穿通效应（Channelpunchthrougheffect）就是场效应晶体管的源结与漏结的耗尽区相连通的一种现象。这种效应是在小尺寸场效应晶体管中有可能发生的一种效应，因此也往往就是限制MOSFET尺寸缩小的一种重要的因素。这是VLSI中很值得重视的一个问题。沟道穿通效应的影响：当沟道一穿通，就使源-漏间的势垒显著降低，则从源往沟道即注入大量载流子，并漂移通过源-漏间的空间电荷区、形成一股很 详情>>
channelingeffect是带电粒子入射到单晶中的一种特殊现象。当带电粒子以小角度射入单晶中的一行行原子时，若粒子轨迹被限于原子的行和面之间，可使粒子射程比随机方向射入时显著增加，具有异常的穿透作用。可用于在硅和其他单晶中掺杂低能重离子，也用于分析晶体中的杂质原子。当注入离子沿着基材的晶向注入时，则注入离子可能与晶格原子发生较少的碰撞而进入离表面较深的位置，这一现象称为沟道效应。 详情>>
沟道阻止层（Channelstopper）是MOS工艺中的一个术语。在p型硅衬底上通过热氧化等平面工艺来制作器件和电路时，往往由于SiO2薄膜中存在有正电荷（Na离子沾污等所致），使得p型硅衬底表面上出现n型寄生沟道而造成短路；为了防止这种n型寄生沟道的产生，就在p型硅衬底的器件有源区以外的表面上注入硼离子（剂量约为1013/cm2），形成一层较高掺杂浓度的p型层，这样p型层就称为沟道阻止层。 详情>>
窄沟道效应,Narowwidtheffect（NWE）:当场效应晶体管的沟道宽度≈源和漏结的耗尽层宽度时，即为所谓“窄沟道”器件。在器件结构的尺寸缩小时，不仅沟道长度变短，宽度也将按同比例在缩小，于是就会出现窄沟道器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应——晶体管的阈值电压升高。（1）产生沟道变窄效应的理想模型：沟道变窄使阈值电压发生变化的物理本质是：栅电极的“边缘场 详情>>
学科：黄土地质学词目：沟道坝系英文：serialdamingully释文：沟道坝系是以沟道小沟域为单元，在沟道内建立的以拦泥、淤地、生产为目的的大、中、小规模的淤地坝工程体系。 详情>>
Channeldoping，沟道掺杂这是制造MOSFET时所采取的一种工艺技术，就是在栅极氧化膜形成之后，在沟道区域通过离子注入技术把少量的施主或受主杂质离子（浓度为1011~1012/cm2）注入进去，以用来调整器件阈值电压的大小，这就称为沟道掺杂；对于n-MOSFET，为了增大阈值电压，需要掺入p型杂质，为了得到耗尽型MOSFET就需要掺入n型杂质。 详情>>
沟道长度调制效应MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应 详情>>
现象：沟道热电子注入(Channelhotelectroninjection,CHE)效应是小尺寸MOSFET中热电子所呈现出的一种现象，也称为沟道雪崩注入效应，即是沟道中部分高能量的热电子往栅氧化层注入的一种现象。产生的原理：因为当沟道中电场很强时,由于漏结雪崩击穿或沟道雪崩击穿倍增出的载流子,若在两次碰撞之间积累起的能量足以跨越Si-SiO2界面势垒(电子势垒=3.15eV,空穴势垒=3.8e 详情>>
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Channelavalanchebreakdown沟道雪崩击穿是小尺寸MOSFET中的一种强电场效应。在短沟道n-MOSFET中，沟道中较强的电场，可使沟道中的电子通过碰撞电离和雪崩倍增而产生出大量的电子-空穴对(在漏端夹断区更明显)，倍增出的电子将被漏极吸收、并使漏极电流剧增而导致器件击穿——沟道雪崩击穿；与此同时也将产生较大的寄生衬底电流(空穴被衬底吸收所致)。短沟道MOSFET发生击穿而失效 详情>>
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缓变沟道近似，Gradualchannelapproximation（GCA）GCA是用来分析长沟道场效应晶体管伏安特性的一种近似模型。对于JFET，GCA即是：①认为在栅结势垒中主要是垂直沟道（x方向）的电场E(x)的作用,而沿着沟道方向（y方向）的电场E(y)很弱，即有E(x)>>E(y)，并且等位面在栅结势垒中是⊥x方向的(即与沟道平行),则沟道宽度沿着y方向基本上不变，或者说是 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:黄土高原沟道坝系相对稳定原理与工程规划研究作者：张红武出版社：黄河水利出版社出版时间：2010-6-1ISBN:9787807345732开本：16开定价:45.00元内容简介本书通过相似分析及模型试验的验证，提出了沟道坝系模型试验的方法，并从试验的角度研究论述了裸地沟坡模型的降雨产沙特性；研究了黄河下游河道冲淤及河床形态变化对侵蚀产沙区的响应机理；论证了黄土 详情>>
黄土高原 黄土 土高 高原 沟道 坝系 相对 稳定 原理 工程 规划 研究
图书信息：内容简介目录图书信息：作 者：西北电力设计院编出版社：中国电力出版社出版时间：1999-4-1版 次：1页 数：79字 数：116000印刷时间：1999-4-1开 本：16开纸 张：胶版纸印 次：1ISBN：9787801259592包 装：平装内容简介本手册共分5章，第1～2章为地下沟道的一般规定，要求和荷载设计，第3～4章为沟道的土压力计算和结构的承载力计算，第5章为地下沟道的构造 详情>>
火力发电厂 火力 力发 发电 电厂 变电所 变电 电所 地下 沟道 设计 手册
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图书信息坡面沟道水力侵蚀及黄土坡沟耦合系统径流输沙能力试验研究定 价：￥35.00作 者：田凯，姚文艺，李小青 著出版社：黄河水利出版社出版时间：2010-12-1开 本：大16开ISBN：9787807349648 详情>>
坡面 沟道 水力 侵蚀 黄土坡 黄土 土坡 耦合 系统 径流 输沙 能力 试验 研究
主要特点主要用途及实用范围技术参数主要特点外圈沟道磨床为全自动数控轴承内表面磨床，采用日本三菱PLC系统（双轴）+位控模块控制；机床各主要部件动作都可在机床电气箱操纵面板或触摸屏上单独调整，操作简单，调整方便，稳定可靠。外圈沟道磨床采用内圆布局方式。电磁无心夹具支承定位，工作台往复切入磨削。砂轮轴采用高刚度大功率油雾润滑电主轴。三菱伺服电机驱动滚珠丝杠副和双V型滚针导轨，从而带动床头滑板进给和砂轮 详情>>
英文名称：Short-channeleffects解释一：短沟道效应主要是指阈值电压与沟道相关到非常严重的程度。解释二：沟道长度减小到一定程度后出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应。包括：（1）影响阈值电压的短沟、窄沟效应沟道长度减小到一定程度后,源、漏结的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大,栅下面的硅表面形成反型层所需的电荷量减小,因而阈值电压减小。同时衬底内耗尽区沿沟道宽度侧向展宽部分的电荷 详情>>
沟道穿通效应（Channelpunchthrougheffect）就是场效应晶体管的源结与漏结的耗尽区相连通的一种现象。这种效应是在小尺寸场效应晶体管中有可能发生的一种效应，因此也往往就是限制MOSFET尺寸缩小的一种重要的因素。这是VLSI中很值得重视的一个问题。沟道穿通效应的影响：当沟道一穿通，就使源-漏间的势垒显著降低，则从源往沟道即注入大量载流子，并漂移通过源-漏间的空间电荷区、形成一股很 详情>>
channelingeffect是带电粒子入射到单晶中的一种特殊现象。当带电粒子以小角度射入单晶中的一行行原子时，若粒子轨迹被限于原子的行和面之间，可使粒子射程比随机方向射入时显著增加，具有异常的穿透作用。可用于在硅和其他单晶中掺杂低能重离子，也用于分析晶体中的杂质原子。当注入离子沿着基材的晶向注入时，则注入离子可能与晶格原子发生较少的碰撞而进入离表面较深的位置，这一现象称为沟道效应。 详情>>
沟道阻止层（Channelstopper）是MOS工艺中的一个术语。在p型硅衬底上通过热氧化等平面工艺来制作器件和电路时，往往由于SiO2薄膜中存在有正电荷（Na离子沾污等所致），使得p型硅衬底表面上出现n型寄生沟道而造成短路；为了防止这种n型寄生沟道的产生，就在p型硅衬底的器件有源区以外的表面上注入硼离子（剂量约为1013/cm2），形成一层较高掺杂浓度的p型层，这样p型层就称为沟道阻止层。 详情>>
窄沟道效应,Narowwidtheffect（NWE）:当场效应晶体管的沟道宽度≈源和漏结的耗尽层宽度时，即为所谓“窄沟道”器件。在器件结构的尺寸缩小时，不仅沟道长度变短，宽度也将按同比例在缩小，于是就会出现窄沟道器件。器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应——晶体管的阈值电压升高。（1）产生沟道变窄效应的理想模型：沟道变窄使阈值电压发生变化的物理本质是：栅电极的“边缘场 详情>>
