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二极管
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流 详情>>
这是利用耿氏畴来工作的一种微波有源器件。它实际上就是在GaAs等双能谷半导体的两端制作上欧姆接触电极即成。在二极管两端加有适当的电压、使半导体处于NDR（负微分电阻）状态时，载流子自阴极就开始积累，同时一边往阳极漂移、一边长大并成熟为一个Gunn畴，当畴漂移到阳极时即消失,同时输出一个电流脉冲;然后又从阴极开始产生新的畴，……，如此不断地输出一个一个的电流脉冲——电流振荡（即Gunn振荡）。根据“ 详情>>
简介：物理特性：分类：特点：简介：led二极管灯泡是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的 详情>>
补偿二极管是一种具有良好温度特性和稳压特性的半导体二极管，在工作过程中，它能根据通过自身电流的大小而引起温度的变化，自动调整其内部动态电阻的变化，比较准确地对有关器件的工作状态因温度变化而引起的变量进行补偿。尤其对流过同一电流的器件补偿效果最佳。所以，使用中补偿二极管多数都是与需补偿的元器件构成串联关系。补偿二极管广泛应用于各种半导体收音机、音响系统、通信设备等电路中，在电路中主要用来做温度补偿和 详情>>
超低温二极管玻壳，其原料包括：PbO70-73.5％、SiO224-28％、K2O1.05-2.55％；本发明的封接温度比目前市场使用的低温料还低40℃，由于封接温度超高，二极管的电性能超差，所以本发明对引线、芯片的电性能影响比较小，本发明比较低的封接温度，可导致企业能源消耗也随之降低，封接温度的降低，可以使二极管的生产时间缩短，从而提高了生产效率 详情>>
磁性隧道(结)二极管（MagneticTunnelJunctiondiode）：这是一种综合利用电子的自旋特性和电荷特性的一种自旋-电子器件。其结构是由两层铁磁性金属（1和2）夹一层较薄(能隧道穿透)的非磁性绝缘体而构成。在工作时，铁磁体1使流入的电子的自旋极化，当铁磁体2的磁化方向与铁磁体1的相同时,则自旋极化了的电子即通过隧穿效应而到达铁磁体2，形成较大的电流——开通状态；当铁磁体2的磁化方向 详情>>
简介原理：发展史：特点：简介二极管灯泡是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同 详情>>
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什么是二极管引线？二极管引线的种类：二极管引线的材质：什么是二极管引线？二极管引线是二极管中与芯片连接的金属导体。二极管引线的种类：1.T型，干型1A—6A二极管引线。2.桥式引线。3.肖特基引线。4.电感，电容，连线器导针，PIN针，LED插针等。二极管引线的材质：1.无氧铜。2.合金铜。3.铜包钢，铜包铝（铜覆盖率达到90%以上） 详情>>
p-n结二极管的噪声主要有三种来源，即热噪声（Johnson噪声）、散粒噪声和闪变噪声（1/f噪声）。热噪声和散粒噪声都与频率无关，即是所谓白噪声。（1）热噪声。当载流子通过电阻输运时，由于热运动的无规性，载流子的速度及其分布将会出现起伏，从而就会产生出电流的涨落和相应在电阻上的电压涨落，这就是热噪声。这种噪声在任何电阻上都会产生，而p-n结在小信号工作时具有一定的交流电阻，所以也就必然存在热噪声 详情>>
高频二极管的主要参数几种常用高频二极管的特点半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。高频二极管的主要参数1）最大整流电流IFM二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于IFM。2）最大可重复峰值反向电压VRRM指所能重复施加的反向最高峰值电压， 详情>>
Photo-Diode（PD） 光(电)二极管（1）基本概念：光电二极管就是能够把光信号转变为电信号、并从而能用来检测光的一种半导体器件。在光通信中，作为终端接收光信号的器件也就是光电二极管。实际上，太阳电池、光电池、红外探测器件、辐射探测器件等，在工作原理上也都与光电二极管相同，只是在太阳电池和光电池中是着眼于把光能转变为电能而已。光电二极管的基本结构就是一个反向偏置的p-n结（见图示） 详情>>
激光二极管驱动电源采用微处理器控制D/A变换器产生一个宽度、频率均可精确调节的梯形电压波驱动大功率模块，输出稳定的电流脉冲。脉冲前后沿过渡平缓、无振铃和过冲。电源还具有限流、激光二极管自动短路保护、瞬态冲击抑制等功能。一般用于驱动高功率激光二级管，是二极管泵浦固体激光器研究中的重要设备。 详情>>
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精密二极管简介精密二极管（PD)是一种具有稳定电压功能与稳定电流功能的高精度二极管。精密二极管的突出特点是工作温度范围宽、线性好、稳定性非常高。主要应用于各种电子电路中作为恒流源与恒压源。常见精密二极管的性能参数型号 工作温度范围（°C） 平均温度灵敏度（Mv/°C） 动态电阻（Ω）HW14 -50～+125 4.5 470HW15 0～+125 10 900HW16 -50～+125 5 450 详情>>
参见：快速关断二极管 详情>>
快速关断（阶跃恢复）二极管(StepRecovaryDiode)它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量 详情>>
里德二极管（Readdiode）：这种二极管具有p+-n-i-n+型式；在反向电压下，其中p+-n结势垒中的电场最强，很容易发生雪崩倍增现象。它是重要的微波、毫米波有源器件——IMPATT二极管（碰撞电离雪崩渡越时间二极管）的一种基本结构。二极管在工作时，外加有较大的直流反向电压（要大于器件的雪崩击穿电压），并要使得n区和i区全部耗尽（其中存在有强的电场）；雪崩区在p+-n势垒处（宽度很窄），n区 详情>>
量子阱雪崩光电二极管，QW-APD（QuantumWellAPD）：这是雪崩光电二极管（APD）的一种改进结构的新型器件。因为要降低APD的噪音和提高增益-带宽积，就要求i型区中电子的电离率an>>空穴的电离率ap，但这对III-V族化合物半导体而言是不可能实现的，就是对于Si而言，在较高电场时an与ap也是比较接近的。然而如果采用包含有很多量子阱的超晶格材料，则可以做到an>& 详情>>
二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流 详情>>
图书信息内容简介编辑推荐作者简介图书目录图书信息书名:双色图文详解二极管及应用电路作 者：胡斌出版社：人民邮电出版社出版时间：2009-7-1ISBN:9787115208668开本：16开定价:29.00元内容简介本书的核心内容是二极管类元器件的基础知识和典型应用电路。本书首先介绍了电子技术的学习方法和电子元器件知识的学习重点，然后详细地介绍了常用二极管的基础知识和应用电路，最后介绍了二极管类元 详情>>
瞬变二极管又称瞬态抑制二极管(TVS，TransientVoltageSuppressors)，二极管中较常用的一种，是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特性）为核心，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。其工作原理不是降低电流变化速率，而是提供一个电流的额外通路。电路中有感性元件（比如说电感线圈、继电器之类）的时候，当电路电压 详情>>
隧穿渡越时间二极管，TUNNETTdiode（TunnelTransitTimeDiode）：这是在IMPATT二极管基础上发展起来的一种微波有源器件，它与IMPATT二极管的不同点即在于载流子是通过量子隧道效应注入的，而不是雪崩倍增产生的。工作原理：见图示，对于IMPATT二极管，当加有较大的反向偏压时，能带即倾斜，使得电子势垒升高、并减薄；如果是mm波器件，则漂移区很薄，则p区满带中的电子，可 详情>>
限幅二极管简介用来做限幅用的二极管称为限幅二极管。所谓限幅，就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等，故要求限幅二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。从这一点出发，限幅二极管一般均由结型开关二极管2CK*担当；在一些特殊要求的电路中，点接触的检波二极管2AG*或开关二极管2AK*也可以作为限幅 详情>>
采用小外形封装结构的表面组装二极管。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:新型二极管数据手册作 者：张庆双出版社：科学出版社出版时间：2010年11月1日ISBN:9787030288615开本：16开定价:29.00元内容简介《新型二极管数据手册》是“速查速用半导体数据手册”丛书之一。《新型二极管数据手册》汇编了新型、常用二极管包括普通整流二极管、高压整流二极管、高速整流二极管、高效率二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管 详情>>
雪崩触发俘获等离子渡越时间二极管（TRAPATTdiode，TrappedPlasmaAvalancheTriggeredTransitDiode）：这是在IMPATT二极管工作的基础上、以另外一种特殊的机理来实现微波振荡的渡越时间器件（TTD）。因为IMPATT二极管在大注入情况下的空间电荷效应将非常强，使得漂移区中电场的分布发生变化；则随着电荷的推移，就可以造成漂移区依次被击穿(即雪崩区向前推 详情>>
简介1N4007是封装形式为DO-15的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。IN4007的作用利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。IN4007的主要参数二极管类型:StandardRecovery电压,Vrrm:1000V电流,If平均:1A正向电压Vf最大:1.1V电流,Ifs最大:30A封装形式:DO-41针脚数:2器件 详情>>
DPSSL英文全称为DiodePumpSolidStateLaser,即二极管泵浦固体激光器。是近年来国际上发展最快，应用较广的新型激光器。该类型的激光器利用输出固定波长的半导体激光器代替了传统的氪灯或氙灯来对激光晶体进行泵浦，从而取得了崭新的发展，被称为第二代的激光器。简介DPSSL的发展与半导体激光器的发展是密不可分的。1962年，第一只同质结砷化镓半导体激光器问世，1963年，美国人纽曼就首 详情>>
p-i-n光电二极管,p-i-nPhoto-Diode（pin-PD）:这是一种灵敏度比一般p-n结光(电)二极管（PD）要高的光检测二极管，它是针对一般PD的不足、在结构上加以改进而得到的一种光电二极管。（1）基本结构：因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结光电二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而 详情>>
p-n结二极管具有单向导电性--->整流。其VCR关系为:i=IS*(e^(u/UT)-1)IS为一常数，称为反向饱和电流;UT=kT/q,室温下，UT=40V。 详情>>
普通的二极管由PN结组成.在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管.正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。微波开关利用P 详情>>
PIN型二极管（PINDiode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使 详情>>
简介TVS器件的特点(二、TVS器件的电特性三、TVS器件的主要电参数四、TVS器件的选用)简介TVS二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似，如果高于标志上的击穿电压，TVS二极管就会导通，与稳压二极管相比，TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，以10-12S量级速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的电压箝位于一个安全值 详情>>
白光二极管以发光二极管为单元.发光二极管（简称LED）是由数层很薄的掺杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。发光二极管通常只能发出红色光或黄色光，要想获得白色光，还必须制造出能发出蓝光的发光二极管。这样，红、黄、蓝三种光“混合”后，就产生出白光. 详情>>
按材料分有锗、硅或砷化镓；按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结；按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后，出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。简介分类二极管的主要参数稳压管的主要参数其它类型二极管二极管参数符号解释简介半导体二极管二极管的伏安特性 阳极：由P区引出的电极为阳极。阴极：由N区引出的电极 详情>>
半导体双异质结激光二极管semiconductordoubleheterostructurelaserdiode半导体激光器的一种，简称DH激光器。DH激光器中的双异质结为三层结构，外侧为宽带隙半导体，中间一层为窄带隙半导体。PN结通常位于DH激光器的一个异质结处，DH激光器的中间夹层就是有源层。DH结构既提供载流子又是优良的光波导。在PN结加上足够的正向偏置，使注入的载流子在有源层中达到反转分布 详情>>
半导体雪崩光电二极管(semiconductoravalanchephotodiode)是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。工作原理雪崩二极管的发明影响响应速度的因素优点工作原理 详情>>
触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。触发二极管分类双向触发二极管的检测测量转折电压方法触发二极管分类图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5 详情>>
简介磁敏二极管工作原理简介磁敏二极管是基于霍耳效应研制出来的,其特点是体积小,灵敏度高。磁敏二极管,较长的管脚为正极区,较短的管脚为负极区。凸出面为磁敏感面.磁敏二极管在正向磁场或负向磁场的作用下,其输出信号增量的方向是不同的。据此,就可以判断磁场的方向.常见的磁敏二极管有2ACM,其随着温度的升高,磁场输出电压△十或△一均下降。这种现象是由于制作材料锗对温度比较敏感造成的。磁敏二极管能将磁信息转 详情>>
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。类型(1一般用点接触型二极管2高反向耐压点接触型二极管3高反向电阻点接触型二极管 详情>>
电荷存储二极管是一种特殊的pn结开关二极管，即在pn结两边的扩散区中存储有大量少数载流子的二极管，以致在关断时存储时间很长，但是关断时的下降时间tf几乎为0（为ps数量级）。这种二极管具有很好的正向导电性，所以在正向电压时能够注入大量的少数载流子电荷到pn结两边的扩散区中去，从而可实现大量电荷的存储。实际上电荷存储二极管基本上与阶跃恢复二极管是一致的。 详情>>
简介重要类型(普通二极管快恢复二极管肖特基二极管)简介电力二极管（PowerDiode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成 详情>>
参见：电力二极管 详情>>
电子二极管简介：只具有一个阴极与一个阳极（板极）的电子管。它是靠被灯丝加热的阴极发射电子导电的。具有单向导电性能，即阳极电位高于阴极时，阴极发射的电子在电场的作用下，向阳极运动形成电子流。而阴极电压比阳极高时，电子所受到的电场力是将电子拉回阴极的，不能产生电流，一般用于整流与检波，有真空与充气（充有惰性气体）两种电子二极管。充气二极管也可以做稳压、指示、控制之用。说明：电子二极管和半导体二极管不同 详情>>
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 详情>>
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自 详情>>
简介详细介绍简介输入端用二极管实现“与”逻辑，输出端用晶体管实现“非”逻辑,采用二极管电平位移的单元门电路,简称DTL电路。其基本电路如图1。在图1a中的二极管D1、D2和D3完成“与”逻辑,二极管D4和D5提供补偿电压,晶体管T完成“非”逻辑,并提供增益。二极管D1、D2和D3的数目和“与”门输入端A、B、C的数目相同,增加二极管可扩展输入端数。详细介绍图2是DTL电路的输入和输出电压传输特性。 详情>>
二极管概要二极管特性二极管原理二极管概要二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移 详情>>
简介发展历史工作原理主要优点缺点适用范围简介二极管阵列检测器即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diodearray）、PDAD（photo-diodearraydetector）或（Diodearraydetector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道检测器。在晶体硅上紧密排列一系列光电二极管，每一个二极管相当于一个单色器 详情>>
反向二极管（Backwarddiode）又称为反向隧道二极管。它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管。反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n结，但结的一边是简并的，另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并(即Fermi能级不进入能带)的半导体。这种二极管在较低工作电压时，其正向电流很小（正向特性与普通的p-n结相似，是少数载流子的扩散电流，不出现隧道电流），而反向电流很大（是隧道电流） 详情>>
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 详情>>
二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。隔离二极管：顾名思义，利用二极管的单向导通原理，对某方向电压的导通起到隔离的作用。 详情>>
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。简介(原理检测方法主要技术参数)光电二极管的种类、特性与用途(PN型PIN型发射键型雪崩型)工作原理简介原理普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大 详情>>
是利用光二极管阵列检测器对光子进行检测。光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个 详情>>
简介工作原理基本特性简介1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子 详情>>
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 详情>>
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。 详情>>
概述一、恒流二极管的性能特点二、检测恒流二极管的方法三、测量时需注意以下事项四、恒流管的应用技巧(1、扩展电流或电压的方法2．同时进行扩流和升压)概述恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器件，而恒流三极管又是在恒流二极管的基础上发展而成的。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以 详情>>
简介用途结构原理红外接收头工作原理红外遥控系统多路控制的红外遥控系统简介红外接收二极管又叫红外光电二极管，也可称红外光敏二极管,英文名Infraredreceiverdiode。它广泛用于各种家用电器的遥控接收器中，如音响、彩色电视机、空调器、VCD视盘机、DVD视盘机以及录像机等。用途它广泛用于各种家用电器的遥控接收器中，如音响、彩色电视机、空调器、VCD视盘机、DVD视盘机以及录像机等。红外接 详情>>
简介原理材料简介使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。原理混频二极管是一种肖特基势垒二极管，它是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属?半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒，即表面势垒。为了使半导体中的载流子容易地越过势垒进入金属，它必须采用电子逸出功（电子跑出半导体或金属表面所需的能量 详情>>
激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性 详情>>
在集成电路中的二极管有许多种，常见的是p-n结二极管和Zener二极管。其中的p-n结二极管一般都是由BJT进行不同型式的连接而构成的（常常称为集成p-n结二极管，简称为集成二极管），因为这样既不增加新的制作工序，而且又可以得到具有不同电性能的二极管。在图中示出了集成p-n结二极管的6种型式。它们都是在制作BJT的同时而得到的。虽然它们的漏电流大小都差不多，但是在其他许多方面的性能将有所不同，在应 详情>>
检波二极管的作用检波二极管的工作原理检波二极管的选用检波二极管的代换检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。检波二极管的作用检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。常用的国产检波二极管有 详情>>
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 详情>>
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。 详情>>
江崎二极管（TunnelDiode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其 详情>>
阶跃恢复二极管（Step-RecovaryDiode）：它与快恢复二极管有所不同，其主要特点是关断时的下降时间tf几乎为0（为ps数量级），但是，其存储时间ts却比较长。而快恢复二极管这种高速开关管的存储时间和下降时间都很短，所以其总的反向恢复时间很短。不过，在实现很短的反向恢复时间中所采取的措施，主要是着眼于减短存储时间，而下降时间还往往对开关性能有着一定的影响（即关断时的反向电流波形有一定的拖 详情>>
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。工作原理工作特性种类(普通开关二极管高速开关二极管超高速开关二极管低功耗开关二极管高反压开关二极管硅电压开关二极管)工作原理半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开 详情>>
有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开 详情>>
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反 详情>>
简介结构简介快速整流二极管fastrectifierdiode能够迅速由正向导通状态转变为反向阻断状态的整流二极管。结构其结构、伏安特性和电路符号与整流二极管相同。工作于交变电压场合时，二极管正向导通产生的储存载流子在该器件变为反向阻断时必须衰减消失，这就是反向恢复过程。如果这一过程比较长，外加电压的交变频率又比较高，则在负半周期间来不及将储存载流子全部抽出，器件未能达到反向阻断状态，将导致整流特 详情>>
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 详情>>
镭射二极管(LaserDiode,LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性，适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，已大量应用于光通讯与光储存产业上，LD之发展颇被看好。目前，LD产业已成为全球继电子产业后另一备受瞩目之新兴产业，未来全球产业竞争将日趋激烈。1．镭射(Laser)简介镭射英文名称为Laser，是LightAmplificationbySti 详情>>
为防止太阳能电池在强光下由于遮挡造成其中一些因为得不到光照而成为负载产生严重发热受损,因此在太阳能电池组件输出端的两极并联旁路二极管。一、热斑效应一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量，都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳电池由于热斑效应 详情>>
IMPATTdiode（ImpactIonizationAvalancheTransitTimeDiode）这是一种重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越这两种过程所造成的延迟作用来产生振荡的。其基本结构是Read二极管的结构（见图示），即内部具有p-n-i-n型式。工作时外加有较大的直流反向电压（要大于器件的雪崩击穿电压），并要使得n区和i区全部耗尽（其中存在有强的电场）；雪崩 详情>>
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所 详情>>
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。 详情>>
参见：二极管 详情>>
参见：稳压二极管 详情>>
作用：原理：作用：在钳位电路中，二极管负极接地，则正极端电路被钳位零电位以下；1、当二极管负极接地时，则正极端电路的电位比地高时，二极管会导通将其电位拉下来，即正极端电路被钳位零电位或零电位以下（忽略管压降）！2、当二极管正极接地时，则负极端电路的电位比地高时，二极管会截至，其电位将不会受二极管的任何作用；3、在钳位电路中，二极管负极接+5V，则正极端电路被钳位+5V电位以上；4、在钳位电路中，二 详情>>
声二极管简介用途工作原理重大理论意义声二极管简介声二极管是一种声音整流器件，类似电子二极管的电整流效应，它可实现声整流效应。南京大学物理学院声学研究所首次在实验室制造出了第一个真正的声二极管器件。人们常常说到的“二极管”默认就是“电二极管”，因为以前从来没有“声二极管”。“声二极管”是首次由中国科学家提出的新概念，他在物理学上具有与电二极管同等重要的意义。用途该成果是复杂媒质中声能量控制研究领域的 详情>>
势垒注入渡越时间二极管（BARITTdiode，BarrierInjectionTransitTimeDiode）与IMPATT（雪崩注入渡越时间）二极管一样，也是利用注入和漂移渡越这两个过程的相位延迟来实现微波振荡的；但是不同的是这里利用的是p-n结势垒的注入作用。其基本结构是基区穿通的晶体管型式（即p-n-p结构），其中p-n结用以注入载流子，n区完全耗尽（为漂移区）；所加直流偏压V的大小和方 详情>>
又称单节晶体管，两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等 详情>>
参见：双基极二极管 详情>>
双速度渡越时间二极管（DoubleVelocityTTD，DOVETTD）与雪崩注入渡越时间二极管（IMPATTD）以及势垒注入渡越时间二极管（BARITTD），都是渡越时间器件（TTD）。双速度渡越时间二极管即是利用“低速运动过程”来代替IMPATTD的注入过程，以实现一定的电流-电压的相位关系，从而获得微波振荡。双速度渡越时间二极管的结构：由注入区和漂移区组成；其中注入区可采用p-AlGaAs 详情>>
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。 详情>>
瞬态二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。瞬态二极管瞬态抑制二极管主要的型号三大特点TVS的特性及主要 详情>>
定义特点及应用定义又称为江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和 详情>>
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。 详情>>
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 详情>>
微波二极管是指工作在微波频段的二极管，属于固体微波器件。微波波段通常指频率从300兆赫到3000吉赫。简介分类(混频二极管检波二极管变容二极管阶跃二极管PIN二极管限幅二极管固体噪声二极管雪崩渡越二极管)简介微波领域内的各种二极管，包括变容二极管、阶跃二极管、PIN二极管、限幅二极管、电调变容二极管、固体噪声二极管和雪崩二极管等。各种微波二极管在微波电路中起低噪声放大、功率产生、变频、调制、解调、 详情>>
稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.简介稳压二极管的稳压原理稳压二极管的参数稳压管的应用反向串联的作用稳压二极管故障特点色环稳压二极管简介稳压二极管Zenerdiode(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压 详情>>
2004年《光明日报》报道：中国科学院生物物理研究所研究员徐业林发明的‘无偏二极管’,陆续获得了俄、英、美、中四国的发明专利......在不需要外加电能、化学能、太阳能等能量的条件下,只要环境温度高于负273℃,该器件就能奇迹般地输出直流电流……这将是一种取之不尽、完全没有污染的新型能源。”一位院士指出光明日报《无偏二极管有望开辟新的能源出路》一文中所提二极管，是违背能量守恒定律、在科学上不可能出 详情>>
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 详情>>
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。简介原理优点结构封装特点应用作用检测(性能比 详情>>
谐振隧道穿透二极管，Resonanttunnelingdiod（RTD）：这是由两个量子势垒夹有一个量子势阱而构成的一种两端量子器件，它是依靠所谓共振隧穿效应来工作的，具有负阻的伏安特性。现在它已经成为了纳米量子器件的一种基本器件。（1）共谐振隧穿效应:因为势阱中存在电子的分离的准束缚态能级，故当入射电子的能量E与阱中的某量子化能级En不一致时,则总的透射几率≈0(势垒不透明)。当运动电子的能量E 详情>>
续流二极管作用工作原理续流二极管英文名：Freewheelingdiode（简称：FWD）我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用 详情>>
简介工作原理相关图组简介PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产 详情>>
名词释义工作原理名词释义英文缩写:APD(AvalanchePhotoDiode)分 类:电信设备解 释:激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。工作原理雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪 详情>>
可变电抗器能够产生高频率的谐波，然后通过调谐回路来提取所需要的较高频率的谐波信号。异质结构势垒可变电抗二极管是一种性能较好的可变电抗器。异质结构势垒可变电抗二极管，Heterostructurebarriervaractor（HBV）：HVB是一种性能较好的可变电抗器。其它可变电抗器的种类很多，例如，采用反向偏置的Schottky二极管的非线性电容效应，利用这种反向偏置的Schottky二极管的可 详情>>
简介：物理特性：分类：特点：简介：led二极管灯泡是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的 详情>>
补偿二极管是一种具有良好温度特性和稳压特性的半导体二极管，在工作过程中，它能根据通过自身电流的大小而引起温度的变化，自动调整其内部动态电阻的变化，比较准确地对有关器件的工作状态因温度变化而引起的变量进行补偿。尤其对流过同一电流的器件补偿效果最佳。所以，使用中补偿二极管多数都是与需补偿的元器件构成串联关系。补偿二极管广泛应用于各种半导体收音机、音响系统、通信设备等电路中，在电路中主要用来做温度补偿和 详情>>
超低温二极管玻壳，其原料包括：PbO70-73.5％、SiO224-28％、K2O1.05-2.55％；本发明的封接温度比目前市场使用的低温料还低40℃，由于封接温度超高，二极管的电性能超差，所以本发明对引线、芯片的电性能影响比较小，本发明比较低的封接温度，可导致企业能源消耗也随之降低，封接温度的降低，可以使二极管的生产时间缩短，从而提高了生产效率 详情>>
磁性隧道(结)二极管（MagneticTunnelJunctiondiode）：这是一种综合利用电子的自旋特性和电荷特性的一种自旋-电子器件。其结构是由两层铁磁性金属（1和2）夹一层较薄(能隧道穿透)的非磁性绝缘体而构成。在工作时，铁磁体1使流入的电子的自旋极化，当铁磁体2的磁化方向与铁磁体1的相同时,则自旋极化了的电子即通过隧穿效应而到达铁磁体2，形成较大的电流——开通状态；当铁磁体2的磁化方向 详情>>
简介原理：发展史：特点：简介二极管灯泡是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同 详情>>
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什么是二极管引线？二极管引线的种类：二极管引线的材质：什么是二极管引线？二极管引线是二极管中与芯片连接的金属导体。二极管引线的种类：1.T型，干型1A—6A二极管引线。2.桥式引线。3.肖特基引线。4.电感，电容，连线器导针，PIN针，LED插针等。二极管引线的材质：1.无氧铜。2.合金铜。3.铜包钢，铜包铝（铜覆盖率达到90%以上） 详情>>
p-n结二极管的噪声主要有三种来源，即热噪声（Johnson噪声）、散粒噪声和闪变噪声（1/f噪声）。热噪声和散粒噪声都与频率无关，即是所谓白噪声。（1）热噪声。当载流子通过电阻输运时，由于热运动的无规性，载流子的速度及其分布将会出现起伏，从而就会产生出电流的涨落和相应在电阻上的电压涨落，这就是热噪声。这种噪声在任何电阻上都会产生，而p-n结在小信号工作时具有一定的交流电阻，所以也就必然存在热噪声 详情>>
高频二极管的主要参数几种常用高频二极管的特点半导体二极管在高频中主要用于开关、检波、调制、解调及混频等非线性变换电路中。高频二极管的主要参数1）最大整流电流IFM二极管在长期稳定工作时，允许通过的最大正向平均电流。因为电流通过PN结要引起管子发热，电流太大，发热量超过限度，就会使PN结烧坏，所以在实际应用时工作电流通常小于IFM。2）最大可重复峰值反向电压VRRM指所能重复施加的反向最高峰值电压， 详情>>
Photo-Diode（PD） 光(电)二极管（1）基本概念：光电二极管就是能够把光信号转变为电信号、并从而能用来检测光的一种半导体器件。在光通信中，作为终端接收光信号的器件也就是光电二极管。实际上，太阳电池、光电池、红外探测器件、辐射探测器件等，在工作原理上也都与光电二极管相同，只是在太阳电池和光电池中是着眼于把光能转变为电能而已。光电二极管的基本结构就是一个反向偏置的p-n结（见图示） 详情>>
激光二极管驱动电源采用微处理器控制D/A变换器产生一个宽度、频率均可精确调节的梯形电压波驱动大功率模块，输出稳定的电流脉冲。脉冲前后沿过渡平缓、无振铃和过冲。电源还具有限流、激光二极管自动短路保护、瞬态冲击抑制等功能。一般用于驱动高功率激光二级管，是二极管泵浦固体激光器研究中的重要设备。 详情>>
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精密二极管简介精密二极管（PD)是一种具有稳定电压功能与稳定电流功能的高精度二极管。精密二极管的突出特点是工作温度范围宽、线性好、稳定性非常高。主要应用于各种电子电路中作为恒流源与恒压源。常见精密二极管的性能参数型号 工作温度范围（°C） 平均温度灵敏度（Mv/°C） 动态电阻（Ω）HW14 -50～+125 4.5 470HW15 0～+125 10 900HW16 -50～+125 5 450 详情>>
参见：快速关断二极管 详情>>
快速关断（阶跃恢复）二极管(StepRecovaryDiode)它也是一种具有PN结的二极管。其结构上的特点是：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区，从而形成“自助电场”。由于PN结在正向偏压下，以少数载流子导电，并在PN结附近具有电荷存贮效应，使其反向电流需要经历一个“存贮时间”后才能降至最小值（反向饱和电流值）。阶跃恢复二极管的“自助电场”缩短了存贮时间，使反向电流快速截止，并产生丰富的谐波分量 详情>>
里德二极管（Readdiode）：这种二极管具有p+-n-i-n+型式；在反向电压下，其中p+-n结势垒中的电场最强，很容易发生雪崩倍增现象。它是重要的微波、毫米波有源器件——IMPATT二极管（碰撞电离雪崩渡越时间二极管）的一种基本结构。二极管在工作时，外加有较大的直流反向电压（要大于器件的雪崩击穿电压），并要使得n区和i区全部耗尽（其中存在有强的电场）；雪崩区在p+-n势垒处（宽度很窄），n区 详情>>
量子阱雪崩光电二极管，QW-APD（QuantumWellAPD）：这是雪崩光电二极管（APD）的一种改进结构的新型器件。因为要降低APD的噪音和提高增益-带宽积，就要求i型区中电子的电离率an>>空穴的电离率ap，但这对III-V族化合物半导体而言是不可能实现的，就是对于Si而言，在较高电场时an与ap也是比较接近的。然而如果采用包含有很多量子阱的超晶格材料，则可以做到an>& 详情>>
二极管的类型二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。由于是点接触，只允许通过较小的电流 详情>>
图书信息内容简介编辑推荐作者简介图书目录图书信息书名:双色图文详解二极管及应用电路作 者：胡斌出版社：人民邮电出版社出版时间：2009-7-1ISBN:9787115208668开本：16开定价:29.00元内容简介本书的核心内容是二极管类元器件的基础知识和典型应用电路。本书首先介绍了电子技术的学习方法和电子元器件知识的学习重点，然后详细地介绍了常用二极管的基础知识和应用电路，最后介绍了二极管类元 详情>>
瞬变二极管又称瞬态抑制二极管(TVS，TransientVoltageSuppressors)，二极管中较常用的一种，是一种高品质的突波吸收器，以二极管（伏安特性）为核心，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率。其工作原理不是降低电流变化速率，而是提供一个电流的额外通路。电路中有感性元件（比如说电感线圈、继电器之类）的时候，当电路电压 详情>>
隧穿渡越时间二极管，TUNNETTdiode（TunnelTransitTimeDiode）：这是在IMPATT二极管基础上发展起来的一种微波有源器件，它与IMPATT二极管的不同点即在于载流子是通过量子隧道效应注入的，而不是雪崩倍增产生的。工作原理：见图示，对于IMPATT二极管，当加有较大的反向偏压时，能带即倾斜，使得电子势垒升高、并减薄；如果是mm波器件，则漂移区很薄，则p区满带中的电子，可 详情>>
限幅二极管简介用来做限幅用的二极管称为限幅二极管。所谓限幅，就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等，故要求限幅二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。从这一点出发，限幅二极管一般均由结型开关二极管2CK*担当；在一些特殊要求的电路中，点接触的检波二极管2AG*或开关二极管2AK*也可以作为限幅 详情>>
采用小外形封装结构的表面组装二极管。 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:新型二极管数据手册作 者：张庆双出版社：科学出版社出版时间：2010年11月1日ISBN:9787030288615开本：16开定价:29.00元内容简介《新型二极管数据手册》是“速查速用半导体数据手册”丛书之一。《新型二极管数据手册》汇编了新型、常用二极管包括普通整流二极管、高压整流二极管、高速整流二极管、高效率二极管、快恢复二极管、肖特基二极管、稳压二极管 详情>>
雪崩触发俘获等离子渡越时间二极管（TRAPATTdiode，TrappedPlasmaAvalancheTriggeredTransitDiode）：这是在IMPATT二极管工作的基础上、以另外一种特殊的机理来实现微波振荡的渡越时间器件（TTD）。因为IMPATT二极管在大注入情况下的空间电荷效应将非常强，使得漂移区中电场的分布发生变化；则随着电荷的推移，就可以造成漂移区依次被击穿(即雪崩区向前推 详情>>
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简介1N4007是封装形式为DO-15的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。IN4007的作用利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。IN4007的主要参数二极管类型:StandardRecovery电压,Vrrm:1000V电流,If平均:1A正向电压Vf最大:1.1V电流,Ifs最大:30A封装形式:DO-41针脚数:2器件 详情>>
DPSSL英文全称为DiodePumpSolidStateLaser,即二极管泵浦固体激光器。是近年来国际上发展最快，应用较广的新型激光器。该类型的激光器利用输出固定波长的半导体激光器代替了传统的氪灯或氙灯来对激光晶体进行泵浦，从而取得了崭新的发展，被称为第二代的激光器。简介DPSSL的发展与半导体激光器的发展是密不可分的。1962年，第一只同质结砷化镓半导体激光器问世，1963年，美国人纽曼就首 详情>>
DPSSL 二极管 二极 极管 泵浦 固体 激光器 激光 光器
p-i-n光电二极管,p-i-nPhoto-Diode（pin-PD）:这是一种灵敏度比一般p-n结光(电)二极管（PD）要高的光检测二极管，它是针对一般PD的不足、在结构上加以改进而得到的一种光电二极管。（1）基本结构：因为PD的主要有源区是势垒区，所以展宽势垒区即可提高灵敏度。p-i-n结光电二极管实际上也就是人为地把p-n结的势垒区宽度加以扩展，即采用较宽的本征半导体（i）层来取代势垒区，而 详情>>
p-n结二极管具有单向导电性--->整流。其VCR关系为:i=IS*(e^(u/UT)-1)IS为一常数，称为反向饱和电流;UT=kT/q,室温下，UT=40V。 详情>>
普通的二极管由PN结组成.在P和N半导体材料之间加入一薄层低掺杂的本征(Intrinsic)半导体层,组成的这种P-I-N结构的二极管就是PIN二极管.正因为有本征(Intrinsic)层的存在，PIN二极管应用很广泛，从低频到高频的应用都有，主要用在RF领域，用作RF开关和RF保护电路，也有用作光电二极管(PhotoDiode)。PIN二极管包括PIN光电二极管和PIN开关二极管。微波开关利用P 详情>>
PIN型二极管（PINDiode）这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管。PIN中的I是“本征”意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和“本征”层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，“本征”区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入“本征”区，而使 详情>>
简介TVS器件的特点(二、TVS器件的电特性三、TVS器件的主要电参数四、TVS器件的选用)简介TVS二极管与常见的稳压二极管的工作原理相似，如果高于标志上的击穿电压，TVS二极管就会导通，与稳压二极管相比，TVS二极管有更高的电流导通能力。TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，以10-12S量级速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，同时吸收高达数千瓦的浪涌功率。使两极间的电压箝位于一个安全值 详情>>
白光二极管以发光二极管为单元.发光二极管（简称LED）是由数层很薄的掺杂半导体材料制成，一层带过量的电子，另一层因缺乏电子而形成带正电的“空穴”，当有电流通过时，电子和空穴相互结合并释放出能量，从而辐射出光芒。发光二极管通常只能发出红色光或黄色光，要想获得白色光，还必须制造出能发出蓝光的发光二极管。这样，红、黄、蓝三种光“混合”后，就产生出白光. 详情>>
按材料分有锗、硅或砷化镓；按结构分有点接触、pn结、pin、肖特基势垒、异质结；按原理分有隧道、变容、雪崩和阶跃恢复等。主要用于检波、混频、参量放大、开关、稳压、整流等。光通信发展后，出现发光、光电、雪崩光电、pin光电、半导体激光等二极管。简介分类二极管的主要参数稳压管的主要参数其它类型二极管二极管参数符号解释简介半导体二极管二极管的伏安特性 阳极：由P区引出的电极为阳极。阴极：由N区引出的电极 详情>>
半导体双异质结激光二极管semiconductordoubleheterostructurelaserdiode半导体激光器的一种，简称DH激光器。DH激光器中的双异质结为三层结构，外侧为宽带隙半导体，中间一层为窄带隙半导体。PN结通常位于DH激光器的一个异质结处，DH激光器的中间夹层就是有源层。DH结构既提供载流子又是优良的光波导。在PN结加上足够的正向偏置，使注入的载流子在有源层中达到反转分布 详情>>
半导体雪崩光电二极管(semiconductoravalanchephotodiode)是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点，适用于以微弱光信号的探测和接收，在光纤通信、激光测距和其他光电转换数据处理等系统中应用较广。工作原理雪崩二极管的发明影响响应速度的因素优点工作原理 详情>>
触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅，在电路中作过压保护等用途。触发二极管分类双向触发二极管的检测测量转折电压方法触发二极管分类图1是它的构造示意图。图2、图3分别是它的符号及等效电路，可等效于基极开路、发射极与集电极对称的NPN型晶体管。因此完全可用二只NPN晶体管如图4连接来替代。双向触发二极管正、反向伏安特性几乎完全对称（见图5 详情>>
简介磁敏二极管工作原理简介磁敏二极管是基于霍耳效应研制出来的,其特点是体积小,灵敏度高。磁敏二极管,较长的管脚为正极区,较短的管脚为负极区。凸出面为磁敏感面.磁敏二极管在正向磁场或负向磁场的作用下,其输出信号增量的方向是不同的。据此,就可以判断磁场的方向.常见的磁敏二极管有2ACM,其随着温度的升高,磁场输出电压△十或△一均下降。这种现象是由于制作材料锗对温度比较敏感造成的。磁敏二极管能将磁信息转 详情>>
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。类型(1一般用点接触型二极管2高反向耐压点接触型二极管3高反向电阻点接触型二极管 详情>>
电荷存储二极管是一种特殊的pn结开关二极管，即在pn结两边的扩散区中存储有大量少数载流子的二极管，以致在关断时存储时间很长，但是关断时的下降时间tf几乎为0（为ps数量级）。这种二极管具有很好的正向导电性，所以在正向电压时能够注入大量的少数载流子电荷到pn结两边的扩散区中去，从而可实现大量电荷的存储。实际上电荷存储二极管基本上与阶跃恢复二极管是一致的。 详情>>
简介重要类型(普通二极管快恢复二极管肖特基二极管)简介电力二极管（PowerDiode）在20世纪50年代初期就获得应用，当时也被称为半导体整流器；它的基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管是一样的，都以半导体PN结为基础，实现正向导通、反向截止的功能；电力二极管是不可控器件，其导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。电力二极管实际上是由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成 详情>>
参见：电力二极管 详情>>
电子二极管简介：只具有一个阴极与一个阳极（板极）的电子管。它是靠被灯丝加热的阴极发射电子导电的。具有单向导电性能，即阳极电位高于阴极时，阴极发射的电子在电场的作用下，向阳极运动形成电子流。而阴极电压比阳极高时，电子所受到的电场力是将电子拉回阴极的，不能产生电流，一般用于整流与检波，有真空与充气（充有惰性气体）两种电子二极管。充气二极管也可以做稳压、指示、控制之用。说明：电子二极管和半导体二极管不同 详情>>
通常指的是环形调制专用的二极管。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。 详情>>
二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自 详情>>
简介详细介绍简介输入端用二极管实现“与”逻辑，输出端用晶体管实现“非”逻辑,采用二极管电平位移的单元门电路,简称DTL电路。其基本电路如图1。在图1a中的二极管D1、D2和D3完成“与”逻辑,二极管D4和D5提供补偿电压,晶体管T完成“非”逻辑,并提供增益。二极管D1、D2和D3的数目和“与”门输入端A、B、C的数目相同,增加二极管可扩展输入端数。详细介绍图2是DTL电路的输入和输出电压传输特性。 详情>>
二极管概要二极管特性二极管原理二极管概要二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移 详情>>
简介发展历史工作原理主要优点缺点适用范围简介二极管阵列检测器即光电二级阵列管检测器又称光电二极管列阵检测器或光电二极管矩阵检测器，表示为PDA（photo-diodearray）、PDAD（photo-diodearraydetector）或（Diodearraydetector，DAD）是20世纪80年代出现的一种光学多通道检测器。在晶体硅上紧密排列一系列光电二极管，每一个二极管相当于一个单色器 详情>>
反向二极管（Backwarddiode）又称为反向隧道二极管。它是一种反向导电性优于正向导电性的一种二极管。反向二极管的核心是一个高掺杂的p-n结，但结的一边是简并的，另一边是掺杂浓度稍低一点、接近简并而又不完全简并(即Fermi能级不进入能带)的半导体。这种二极管在较低工作电压时，其正向电流很小（正向特性与普通的p-n结相似，是少数载流子的扩散电流，不出现隧道电流），而反向电流很大（是隧道电流） 详情>>
用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。 详情>>
二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。隔离二极管：顾名思义，利用二极管的单向导通原理，对某方向电压的导通起到隔离的作用。 详情>>
光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。简介(原理检测方法主要技术参数)光电二极管的种类、特性与用途(PN型PIN型发射键型雪崩型)工作原理简介原理普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流，光电二极管在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大 详情>>
是利用光二极管阵列检测器对光子进行检测。光二极管阵列检测器是一种对光子有响应的检测器。它是由硅片上形成的反相偏置的p-n结组成。反向偏置造成了一个耗尽层，使该结的传导性几乎降到了零。当辐射照到n区，就可形成空穴和电子。空穴通过耗尽层到达p区而湮灭，于是电导增加，增加的大小与辐射功率成正比。光二极管阵列检测器每平方毫米含有15000个以上的光二极管。每个二极管都与其邻近的二极管绝缘，它们都联结到一个 详情>>
简介工作原理基本特性简介1.光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时，可以使PN结中产生电子一空穴对，使少数载流子的密度增加。这些载流子 详情>>
它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，就能与合金一起过扩散，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 详情>>
在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。正向电压降小，适于大电流整流。因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。 详情>>
概述一、恒流二极管的性能特点二、检测恒流二极管的方法三、测量时需注意以下事项四、恒流管的应用技巧(1、扩展电流或电压的方法2．同时进行扩流和升压)概述恒流二极管和恒流三极管是近年来问世的半导体恒流器件，而恒流三极管又是在恒流二极管的基础上发展而成的。它们都能在很宽的电压范围内输出恒定的电流，并具有很高的动态阻抗。由于它们的恒流性能好、价格较低、使用简便，因此目前已被广泛用于恒流源、稳压源、放大器以 详情>>
简介用途结构原理红外接收头工作原理红外遥控系统多路控制的红外遥控系统简介红外接收二极管又叫红外光电二极管，也可称红外光敏二极管,英文名Infraredreceiverdiode。它广泛用于各种家用电器的遥控接收器中，如音响、彩色电视机、空调器、VCD视盘机、DVD视盘机以及录像机等。用途它广泛用于各种家用电器的遥控接收器中，如音响、彩色电视机、空调器、VCD视盘机、DVD视盘机以及录像机等。红外接 详情>>
简介原理材料简介使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。原理混频二极管是一种肖特基势垒二极管，它是利用金属和N型半导体相接触所形成的金属?半导体结的原理而制成的。当金属与半导体相接触时，它们的交界面处会形成阻碍电子通过的肖特基势垒，即表面势垒。为了使半导体中的载流子容易地越过势垒进入金属，它必须采用电子逸出功（电子跑出半导体或金属表面所需的能量 详情>>
激光二极管本质上是一个半导体二极管，按照PN结材料是否相同，可以把激光二极管分为同质结、单异质结（SH）、双异质结（DH）和量子阱（QW）激光二极管。量子阱激光二极管具有阈值电流低，输出功率高的优点，是目前市场应用的主流产品。同激光器相比，激光二极管具有效率高、体积小、寿命长的优点，但其输出功率小（一般小于2mW），线性差、单色性不太好，使其在有线电视系统中的应用受到很大限制，不能传输多频道，高性 详情>>
在集成电路中的二极管有许多种，常见的是p-n结二极管和Zener二极管。其中的p-n结二极管一般都是由BJT进行不同型式的连接而构成的（常常称为集成p-n结二极管，简称为集成二极管），因为这样既不增加新的制作工序，而且又可以得到具有不同电性能的二极管。在图中示出了集成p-n结二极管的6种型式。它们都是在制作BJT的同时而得到的。虽然它们的漏电流大小都差不多，但是在其他许多方面的性能将有所不同，在应 详情>>
检波二极管的作用检波二极管的工作原理检波二极管的选用检波二极管的代换检波二极管是用于把迭加在高频载波上的低频信号检出来的器件，它具有较高的检波效率和良好的频率特性。检波二极管的作用检波（也称解调）二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。常用的国产检波二极管有 详情>>
就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。 详情>>
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。 详情>>
江崎二极管（TunnelDiode）它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。发生隧道效应具备如下三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其 详情>>
阶跃恢复二极管（Step-RecovaryDiode）：它与快恢复二极管有所不同，其主要特点是关断时的下降时间tf几乎为0（为ps数量级），但是，其存储时间ts却比较长。而快恢复二极管这种高速开关管的存储时间和下降时间都很短，所以其总的反向恢复时间很短。不过，在实现很短的反向恢复时间中所采取的措施，主要是着眼于减短存储时间，而下降时间还往往对开关性能有着一定的影响（即关断时的反向电流波形有一定的拖 详情>>
开关二极管是半导体二极管的一种，是为在电路上进行"开"、"关"而特殊设计制造的一类二极管。它由导通变为截止或由截止变为导通所需的时间比一般二极管短，常见的有2AK、2DK等系列，主要用于电子计算机、脉冲和开关电路中。工作原理工作特性种类(普通开关二极管高速开关二极管超高速开关二极管低功耗开关二极管高反压开关二极管硅电压开关二极管)工作原理半导体二极管导通时相当于开关闭合（电路接通），截止时相当于开 详情>>
有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短，因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用；2CK型平面接触为高速开关电路用；用于开关、限幅、钳位或检波等电路；肖特基（SBD）硅大电流开 详情>>
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反 详情>>
简介结构简介快速整流二极管fastrectifierdiode能够迅速由正向导通状态转变为反向阻断状态的整流二极管。结构其结构、伏安特性和电路符号与整流二极管相同。工作于交变电压场合时，二极管正向导通产生的储存载流子在该器件变为反向阻断时必须衰减消失，这就是反向恢复过程。如果这一过程比较长，外加电压的交变频率又比较高，则在负半周期间来不及将储存载流子全部抽出，器件未能达到反向阻断状态，将导致整流特 详情>>
在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。 详情>>
镭射二极管(LaserDiode,LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性，适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，已大量应用于光通讯与光储存产业上，LD之发展颇被看好。目前，LD产业已成为全球继电子产业后另一备受瞩目之新兴产业，未来全球产业竞争将日趋激烈。1．镭射(Laser)简介镭射英文名称为Laser，是LightAmplificationbySti 详情>>
为防止太阳能电池在强光下由于遮挡造成其中一些因为得不到光照而成为负载产生严重发热受损,因此在太阳能电池组件输出端的两极并联旁路二极管。一、热斑效应一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件，将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热，这就是热斑效应。这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量，都可能被遮蔽的电池所消耗。为了防止太阳电池由于热斑效应 详情>>
IMPATTdiode（ImpactIonizationAvalancheTransitTimeDiode）这是一种重要的微波、毫米波有源器件。它是利用了雪崩倍增和漂移渡越这两种过程所造成的延迟作用来产生振荡的。其基本结构是Read二极管的结构（见图示），即内部具有p-n-i-n型式。工作时外加有较大的直流反向电压（要大于器件的雪崩击穿电压），并要使得n区和i区全部耗尽（其中存在有强的电场）；雪崩 详情>>
对二极管的频率倍增作用而言，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短，因此，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。如果对阶跃二极管施加正弦波，那么，因tt（转移时间）短，所 详情>>
平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。 详情>>
参见：二极管 详情>>
参见：稳压二极管 详情>>
作用：原理：作用：在钳位电路中，二极管负极接地，则正极端电路被钳位零电位以下；1、当二极管负极接地时，则正极端电路的电位比地高时，二极管会导通将其电位拉下来，即正极端电路被钳位零电位或零电位以下（忽略管压降）！2、当二极管正极接地时，则负极端电路的电位比地高时，二极管会截至，其电位将不会受二极管的任何作用；3、在钳位电路中，二极管负极接+5V，则正极端电路被钳位+5V电位以上；4、在钳位电路中，二 详情>>
声二极管简介用途工作原理重大理论意义声二极管简介声二极管是一种声音整流器件，类似电子二极管的电整流效应，它可实现声整流效应。南京大学物理学院声学研究所首次在实验室制造出了第一个真正的声二极管器件。人们常常说到的“二极管”默认就是“电二极管”，因为以前从来没有“声二极管”。“声二极管”是首次由中国科学家提出的新概念，他在物理学上具有与电二极管同等重要的意义。用途该成果是复杂媒质中声能量控制研究领域的 详情>>
势垒注入渡越时间二极管（BARITTdiode，BarrierInjectionTransitTimeDiode）与IMPATT（雪崩注入渡越时间）二极管一样，也是利用注入和漂移渡越这两个过程的相位延迟来实现微波振荡的；但是不同的是这里利用的是p-n结势垒的注入作用。其基本结构是基区穿通的晶体管型式（即p-n-p结构），其中p-n结用以注入载流子，n区完全耗尽（为漂移区）；所加直流偏压V的大小和方 详情>>
又称单节晶体管，两个基极，一个发射极的三端负阻器件，用于张驰振荡电路，定时电压读出电路中，它具有频率易调、温度稳定性好等 详情>>
参见：双基极二极管 详情>>
双速度渡越时间二极管（DoubleVelocityTTD，DOVETTD）与雪崩注入渡越时间二极管（IMPATTD）以及势垒注入渡越时间二极管（BARITTD），都是渡越时间器件（TTD）。双速度渡越时间二极管即是利用“低速运动过程”来代替IMPATTD的注入过程，以实现一定的电流-电压的相位关系，从而获得微波振荡。双速度渡越时间二极管的结构：由注入区和漂移区组成；其中注入区可采用p-AlGaAs 详情>>
TVP管，对电路进行快速过压保护，分双极型和单极型两种，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8.2V～200V）分类。 详情>>
瞬态二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。瞬态二极管瞬态抑制二极管主要的型号三大特点TVS的特性及主要 详情>>
定义特点及应用定义又称为江崎二极管,它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。隧道二极管是采用砷化镓（GaAs）和锑化镓（GaSb）等材料混合制成的半导体二极管，其优点是开关特性好，速度快、工作频率高；缺点是热稳定性较差。一般应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。它的工作符合发生隧道效应具备的三个条件：①费米能级位于导带和满带内；②空间电荷层宽度必须很窄（0.01微米以下）；简并半导体P型区和 详情>>
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。因此，又把这种台面型称为扩散台面型。对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。 详情>>
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。 详情>>
微波二极管是指工作在微波频段的二极管，属于固体微波器件。微波波段通常指频率从300兆赫到3000吉赫。简介分类(混频二极管检波二极管变容二极管阶跃二极管PIN二极管限幅二极管固体噪声二极管雪崩渡越二极管)简介微波领域内的各种二极管，包括变容二极管、阶跃二极管、PIN二极管、限幅二极管、电调变容二极管、固体噪声二极管和雪崩二极管等。各种微波二极管在微波电路中起低噪声放大、功率产生、变频、调制、解调、 详情>>
稳压二极管(又叫齐纳二极管),此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.简介稳压二极管的稳压原理稳压二极管的参数稳压管的应用反向串联的作用稳压二极管故障特点色环稳压二极管简介稳压二极管Zenerdiode(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压 详情>>
2004年《光明日报》报道：中国科学院生物物理研究所研究员徐业林发明的‘无偏二极管’,陆续获得了俄、英、美、中四国的发明专利......在不需要外加电能、化学能、太阳能等能量的条件下,只要环境温度高于负273℃,该器件就能奇迹般地输出直流电流……这将是一种取之不尽、完全没有污染的新型能源。”一位院士指出光明日报《无偏二极管有望开辟新的能源出路》一文中所提二极管，是违背能量守恒定律、在科学上不可能出 详情>>
大多数二极管能作为限幅使用。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。 详情>>
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。简介原理优点结构封装特点应用作用检测(性能比 详情>>
谐振隧道穿透二极管，Resonanttunnelingdiod（RTD）：这是由两个量子势垒夹有一个量子势阱而构成的一种两端量子器件，它是依靠所谓共振隧穿效应来工作的，具有负阻的伏安特性。现在它已经成为了纳米量子器件的一种基本器件。（1）共谐振隧穿效应:因为势阱中存在电子的分离的准束缚态能级，故当入射电子的能量E与阱中的某量子化能级En不一致时,则总的透射几率≈0(势垒不透明)。当运动电子的能量E 详情>>
续流二极管作用工作原理续流二极管英文名：Freewheelingdiode（简称：FWD）我们通常所说的“续流二极管”由于在电路中起到续流的作用而得名，一般选择快速恢复二极管或者肖特基二极管来作为“续流二极管”，它在电路中一般用来保护元件不被感应电压击穿或烧坏，以并联的方式接到产生感应电动势的元件两端，并与其形成回路，使其产生的高电动势在回路以续电流方式消耗，从而起到保护电路中的元件不被损坏的作用 详情>>
简介工作原理相关图组简介PN结有单向导电性，正向电阻小，反向电阻很大。当反向电压增大到一定数值时，反向电流突然增加。就是反向电击穿。它分雪崩击穿和齐纳击穿。雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像雪崩一样，增加得多而快。利用这个特性制作的二极管就是雪崩二极管雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产 详情>>
名词释义工作原理名词释义英文缩写:APD(AvalanchePhotoDiode)分 类:电信设备解 释:激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。工作原理雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪 详情>>
可变电抗器能够产生高频率的谐波，然后通过调谐回路来提取所需要的较高频率的谐波信号。异质结构势垒可变电抗二极管是一种性能较好的可变电抗器。异质结构势垒可变电抗二极管，Heterostructurebarriervaractor（HBV）：HVB是一种性能较好的可变电抗器。其它可变电抗器的种类很多，例如，采用反向偏置的Schottky二极管的非线性电容效应，利用这种反向偏置的Schottky二极管的可 详情>>
