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超低温二极管玻壳，其原料包括：PbO70-73.5％、 SiO224-28％、K2O1.05-2.55％；本发明的封接温度比目前市场使用的低温料还低40℃，由于封接温度超高，二极管的电性能超差，所以本发明对引线、芯片的电性能影响比较小，本发明比较低的封接温度，可导致企业能源消耗也随之降低，封接温度的降低，可以使二极管的生产时间缩短，从而提高了生产效率
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