“MOSFET”查询结果_在线百科全书查询
MOSFET
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF 详情>>
IR公司将其某类MOSFET称作HEXFETMOSFET。HEXFET是什么意思呢？图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞（cell）。正因为原胞是六角形的（hexangular）,因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。 详情>>
凹沟MOSFET（Recessed-channelMOSFET）：见图示，这种结构的MOSFET就是把栅极设置在刻蚀出来的凹沟里。这种MOSFET的优点在于使等效的源和漏的结深减小，短沟道效应得以减弱。这种结构的缺点在于：对阈值电压的控制比较困难（因为阈值电压主要决定于A和B点处的形状和层的厚度)，而且热电子注入到SiO2中的可能性增加了（热电子效应导致的失效率增大）。 详情>>
横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是着眼于减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS；也可以通过两次离子注入来制作——得到所谓双注入MOSFET(简称为DIMOS)。这是功率（电力）MOSFET和功率IC的基本结构。这种横向导电MOSFET的优点就在于：沟长L与光刻精度无关(主要决定于杂质扩散精度或 详情>>
双栅MOSFET(DoublegatestructureMOSFET):双栅极结构MOS场效应晶体管是MOSFET减小寄生参量、以提高截止频率的一种结构（见图示）。它通过第二个栅极G2交流接地,可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的静电屏蔽作用,从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则提高了频率。 详情>>
肖特基势垒源和漏的MOSFET（SchottkybarriersourceanddrainMOSFET），简称为肖特基势垒MOSFET。这种结构MOSFET的源极和漏极都采用肖特基势垒，而不是一般MOSFET的p-n结势垒。肖特基势垒MOSFET的优点：等效于使源和漏的结深减小（几乎为0），短沟道效应大大减弱；源和漏接触的高导电性，使得源、漏的串联电阻降低；源和漏接触的制作不需要高温退火,这可保证 详情>>
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用作 者：王水平白丽娜出版社：人民邮电出版社出版时间：2009年05月ISBN:9787115196934开本：16开定价:45.00元内容简介《MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用》主要介绍了同步整流式、双端输出式、半桥式和推挽式四个常用系列的MOSFET/IGBT驱动集成电路的电性能参数、引脚引线、外形封装和内部原 详情>>
本书紧紧围绕开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动（无极调速和变频调速）等方面应用最多和应用最广泛的单端输出式、双端输出式和多端输出式等三个常用系列的MOSFET/IGBT驱动器集成电路，除了简明介绍它们的电性能参数、管脚引线、外形封装和内部原理框图以外，还重点给出了它们在开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动（无极调速和变频调速）等方面的典型应用电路。图书信息 详情>>
凹沟MOSFET（Recessed-channelMOSFET）：见图示，这种结构的MOSFET就是把栅极设置在刻蚀出来的凹沟里。这种MOSFET的优点在于使等效的源和漏的结深减小，短沟道效应得以减弱。这种结构的缺点在于：对阈值电压的控制比较困难（因为阈值电压主要决定于A和B点处的形状和层的厚度)，而且热电子注入到SiO2中的可能性增加了（热电子效应导致的失效率增大）。 详情>>
横向双扩散MOS晶体管（LateralDouble-diffusedMOSFET，LDMOS）：这是着眼于减短沟道长度的一种横向导电MOSFET，通过两次扩散而制作的器件称为LDMOS；也可以通过两次离子注入来制作——得到所谓双注入MOSFET(简称为DIMOS)。这是功率（电力）MOSFET和功率IC的基本结构。这种横向导电MOSFET的优点就在于：沟长L与光刻精度无关(主要决定于杂质扩散精度或 详情>>
双栅MOSFET(DoublegatestructureMOSFET):双栅极结构MOS场效应晶体管是MOSFET减小寄生参量、以提高截止频率的一种结构（见图示）。它通过第二个栅极G2交流接地,可在第一个栅极G1和漏极D之间起到有效的静电屏蔽作用,从而使得栅极与漏极之间的反馈电容(是Miller电容)大大减小，则提高了频率。 详情>>
肖特基势垒源和漏的MOSFET（SchottkybarriersourceanddrainMOSFET），简称为肖特基势垒MOSFET。这种结构MOSFET的源极和漏极都采用肖特基势垒，而不是一般MOSFET的p-n结势垒。肖特基势垒MOSFET的优点：等效于使源和漏的结深减小（几乎为0），短沟道效应大大减弱；源和漏接触的高导电性，使得源、漏的串联电阻降低；源和漏接触的制作不需要高温退火,这可保证 详情>>
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effecttransistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简 详情>>
图书信息内容简介图书目录图书信息书名:MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用作 者：王水平白丽娜出版社：人民邮电出版社出版时间：2009年05月ISBN:9787115196934开本：16开定价:45.00元内容简介《MOSFET/IGBT驱动集成电路及应用》主要介绍了同步整流式、双端输出式、半桥式和推挽式四个常用系列的MOSFET/IGBT驱动集成电路的电性能参数、引脚引线、外形封装和内部原 详情>>
MOSFET IGBT 驱动 集成电路 集成 成电 电路 应用
本书紧紧围绕开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动（无极调速和变频调速）等方面应用最多和应用最广泛的单端输出式、双端输出式和多端输出式等三个常用系列的MOSFET/IGBT驱动器集成电路，除了简明介绍它们的电性能参数、管脚引线、外形封装和内部原理框图以外，还重点给出了它们在开关稳压电源、功率因数校正(PFC)、同步整流和电机驱动（无极调速和变频调速）等方面的典型应用电路。图书信息 详情>>
MOSFET IGBT 驱动器 驱动 动器 集成电路 集成 成电 电路 应用 集萃
