“DMOS”查询结果_在线百科全书查询
用耗尽型MOS晶体管作负载管，用增强型MOS晶体管作驱动管组成反相器，并以这种反相器作为基本单元而构成的各种集成电路。该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型MOS晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／DMOS电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体）大规模集成电路中比较好的两种电路形式，各具 详情>>
DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（verticaldouble-diffusedMOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateraldouble-diffusedMOSFET）。DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS单元所组成的。这些单元的数目是根 详情>>
用耗尽型MOS晶体管作负载管，用增强型MOS晶体管作驱动管组成反相器，并以这种反相器作为基本单元而构成的各种集成电路。该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型MOS晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／DMOS电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体）大规模集成电路中比较好的两种电路形式，各具 详情>>
DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（verticaldouble-diffusedMOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateraldouble-diffusedMOSFET）。DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS单元所组成的。这些单元的数目是根 详情>>
用耗尽型MOS晶体管作负载管，用增强型MOS晶体管作驱动管组成反相器，并以这种反相器作为基本单元而构成的各种集成电路。该电路具有速度快、电压摆幅大、集成密度高等特点，原因是在反相器中采用了耗尽型MOS晶体管，使其负载特性接近于理想恒流源的特性，增强了驱动负载能力。E／DMOS电路和CMOS（互补金属-氧化物-半导体）集成电路是MOS（金属-氧化物-半导体）大规模集成电路中比较好的两种电路形式，各具 详情>>
