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“90R”查询结果_在线百科全书查询


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IPD90R1K2C3

基本信息：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：1.2欧姆@2.8A,10V漏极至源极电压(Vdss)：900V电流-连续漏极(Id)@25°C：5.1AId时的Vgs(th)（最大）：3.5V@310µA闸电荷(Qg)@Vgs：28nC@10V在Vds时的 详情>>

IPD 90 90R R1 1K K2 2C C3