“6512A”查询结果_在线百科全书查询

基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：逻辑电平门开态Rds（最大）@Id,Vgs@25°C：21毫欧@10.7A,4.5V漏极至源极电压(Vdss)：20V电流-连续漏极(Id)@25°C：10.7AId时的Vgs(th)（最大）：1.5V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs：19nC@4.5V在V 详情>>

FDD 6512 6512A