“2SC”查询结果_在线百科全书查询
图片基本信息图片基本信息2SC1815，采用TO-92封装方式。晶体管极性:NPN电压,Vceo:50V截止频率ft,典型值:80MHz功耗,Pd:400mW集电极直流电流:0.15A直流电流增益hFE:120封装类型:TO-92针脚数:3功耗:400mW封装类型:TO-92总功率,Ptot:400mW晶体管数:1晶体管类型:通用小信号最大连续电流,Ic:0.15A最小增益带宽ft:80MHz电压 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：典型双电源电压：±15V安装：通孔典型输入噪声电压密度：45nV/rtHz典型电压增益：112.04Db引脚数目：8最大工作温度：70°C最小工作温度：0°C最大输入偏置电压：2mV最大输入偏置电流：0.0001μA最小CMRR：70dB电源类型：双路每芯片单元数目：1采用开关管（S），功率放大（L）封装方式。生产厂家:日本富士电机公司制作材料:Si-NPN性质:开关 详情>>
基本信息简介2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。参数类别：NPN-硅通用晶体管集电极-发射极电压VCEO：12V集电极-基极电压VCBO:20V发射极-基极电压VEBO:3.0V集电极直流电流IC:100mA总耗散功率(TA=25 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：采用开关管（S），电源用（Reg）封装方式。制作材料:Si-NPN性质:开关管（S），电源用（Reg）封装形式:开关管（S），电源用（Reg）极限工作电压:200V最大电流允许值:7A最大工作频率:30MHZ引脚数:3最大耗散功率:50W价格分析：近期该型号的商家报价积极性不高，原装现货1000pcs以上,华强价格指数所报参考价区间为：0.80元/pcs---1.50 详情>>
型号:2SC4617厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):－直流电流增益hFE最小值(dB):120直流电流增益hFE最大值(dB):560最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):180封装/温度(℃):SC75,(SOT416)/-55~150 详情>>
型号:2SC4617TLQ厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523标准包装：1类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路系列：-晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：150mA电压-集电极发射极击穿（最大）：50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV@5mA,50mA电流-集电极截止（最大）：-在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：120@1mA, 详情>>
型号:2SC4617TLR厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523标准包装：3,000类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路系列：-晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：150mA电压-集电极发射极击穿（最大）：50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV@5mA,50mA电流-集电极截止（最大）：-在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：180@ 详情>>
型号:2SC4774T106S厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT323标准包装：1类别：分离式半导体产品家庭：RF晶体管(BJT)系列：-晶体管类型：NPN电压-集电极发射极击穿（最大）：6V频率-转换：800MHz噪声系数（dB典型值@频率）：-增益：-功率-最大：200mW在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：180@5mA,5V电流-集电极(Ic)（最大）：50mA安装类型 详情>>
基本信息2sc1623，采用表面帖装型（SMD），通用型（Uni）封装方式。生产厂家:日本日电公司制作材料:Si-NPN性质:表面帖装型（SMD），通用型（Uni）封装形式:表面帖装型（SMD），通用型（Uni）极限工作电压:60V最大电流允许值:0.1A最大工作频率:250MHZ引脚数:3可代换的型号:BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG 详情>>
2SC5200是东芝半导体公司推出的NPN型三重扩散硅晶体管。2SC5200具备体积小、重量轻、耐震动、寿命长，耗电小五大优点。此外，在功率放大器运用方面具有独特的优势：一、高击穿电压最小值达230V；二、适用于100W高保真音响放大器输出；三、性能兼容2SA1943，功能与2SA1943相辅相成。相比传统的半导体电子管，2SC5200是新型的NPN型三重扩散硅晶体管，在安全性及可靠性方面有非常大 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：典型双电源电压：±15V安装：通孔典型输入噪声电压密度：45nV/rtHz典型电压增益：112.04Db引脚数目：8最大工作温度：70°C最小工作温度：0°C最大输入偏置电压：2mV最大输入偏置电流：0.0001μA最小CMRR：70dB电源类型：双路每芯片单元数目：1采用开关管（S），功率放大（L）封装方式。生产厂家:日本富士电机公司制作材料:Si-NPN性质:开关 详情>>
基本信息简介2SC3356硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF，UHF，CATV高频宽带低噪声放大器。参数类别：NPN-硅通用晶体管集电极-发射极电压VCEO：12V集电极-基极电压VCBO:20V发射极-基极电压VEBO:3.0V集电极直流电流IC:100mA总耗散功率(TA=25 详情>>
基本参数：价格分析：基本参数：采用开关管（S），电源用（Reg）封装方式。制作材料:Si-NPN性质:开关管（S），电源用（Reg）封装形式:开关管（S），电源用（Reg）极限工作电压:200V最大电流允许值:7A最大工作频率:30MHZ引脚数:3最大耗散功率:50W价格分析：近期该型号的商家报价积极性不高，原装现货1000pcs以上,华强价格指数所报参考价区间为：0.80元/pcs---1.50 详情>>
型号:2SC4617厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523类型:NPN集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):50集电极最大电流Ic(max)(mA):－直流电流增益hFE最小值(dB):120直流电流增益hFE最大值(dB):560最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):180封装/温度(℃):SC75,(SOT416)/-55~150 详情>>
型号:2SC4617TLQ厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523标准包装：1类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路系列：-晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：150mA电压-集电极发射极击穿（最大）：50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV@5mA,50mA电流-集电极截止（最大）：-在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：120@1mA, 详情>>
型号:2SC4617TLR厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT523标准包装：3,000类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路系列：-晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：150mA电压-集电极发射极击穿（最大）：50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV@5mA,50mA电流-集电极截止（最大）：-在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：180@ 详情>>
型号:2SC4774T106S厂家:ROHM生产年份:12+封装:SOT323标准包装：1类别：分离式半导体产品家庭：RF晶体管(BJT)系列：-晶体管类型：NPN电压-集电极发射极击穿（最大）：6V频率-转换：800MHz噪声系数（dB典型值@频率）：-增益：-功率-最大：200mW在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：180@5mA,5V电流-集电极(Ic)（最大）：50mA安装类型 详情>>
2SC SC 4774 4774T T106 106 106S
基本信息2sc1623，采用表面帖装型（SMD），通用型（Uni）封装方式。生产厂家:日本日电公司制作材料:Si-NPN性质:表面帖装型（SMD），通用型（Uni）封装形式:表面帖装型（SMD），通用型（Uni）极限工作电压:60V最大电流允许值:0.1A最大工作频率:250MHZ引脚数:3可代换的型号:BC846,BCV71,BCV72,BCW71,BCW72,BCX70,2SC3323,3DG 详情>>
2SC5200是东芝半导体公司推出的NPN型三重扩散硅晶体管。2SC5200具备体积小、重量轻、耐震动、寿命长，耗电小五大优点。此外，在功率放大器运用方面具有独特的优势：一、高击穿电压最小值达230V；二、适用于100W高保真音响放大器输出；三、性能兼容2SA1943，功能与2SA1943相辅相成。相比传统的半导体电子管，2SC5200是新型的NPN型三重扩散硅晶体管，在安全性及可靠性方面有非常大 详情>>
