基本信息 类别：分离式半导体产品 家庭：晶体管(BJT) - 单路 晶体管类型：PNP 电流- 集电极 (Ic)（最大）：200mA 电压- 集电极发射极击穿（最大）：40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA, 50mA 在某Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA, 1V 功率- 最大：625mW 频率- 转换：250MHz 安
详情>>
2N3906
基本信息类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路晶体管类型：PNP电流-集电极(Ic)（最大）：200mA电压-集电极发射极击穿（最大）：40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：400mV@5mA,50mA在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：100@10mA,1V功率-最大：625mW频率-转换：250MHz安装类型：通孔封装/外壳：TO-92-3（标准主体），TO-2 详情>>
2N3906 2N N3906 3906
