基本信息 类别：分离式半导体产品 家庭：晶体管(BJT) - 单路 晶体管类型：NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 50mA, 500mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 150mA, 10V 功率 - 最大：800mW 频率 - 转换：10
详情>>
2N3904
基本信息类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT)-单路晶体管类型：NPN电流-集电极(Ic)（最大）：1A电压-集电极发射极击穿（最大）：80VIb、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：500mV@50mA,500mA在某Ic、Vce时的最小直流电流增益(hFE)：100@150mA,10V功率-最大：800mW频率-转换：100MHz安装类型：通孔封装/外壳：TO-39-3,TO-205AD， 详情>>
2N3904 2N N3904 3904
