indium phosphide InP 分子式： InP 沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35 eV） 熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(Vs)。空穴迁移率150cm2/(Vs)。具有半导体的特性。由金属 铟 和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。
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磷化铟
indiumphosphideInP分子式：InP沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。闪锌矿结构，常温下带宽（Eg=1.35eV）熔点下离解压为2.75MPa。极微溶于无机酸。介电常数10.8。电子迁移率4600cm2/(V·s)。空穴迁移率150cm2/(V·s)。具有半导体的特性。由金属铟和赤磷在石英管中加热反应制得。用作半导体材料，用于光纤通信技术。 详情>>
磷化铟 磷化 化铟
