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带隙
基本概况 带隙： 导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。 带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。 带隙的主要作用是在集成 详情>>
光学带隙（opticalbandgap）非晶态半导体的本征吸收边附近的吸收曲线通常分为三个区域：价带扩展态到导带扩展态的吸收为幂指数区；价带扩展态到导带尾的吸收为指数区；价带尾到导带尾的吸收为弱吸收区。非晶半导体的带隙没有明确的定义。定义其光学带隙的简单方法是E03或E04，即吸收系数为103cm-1或104cm-1时所对应的光子能量。物理意义较明确的定义方法是Tauc带隙，主要考虑幂指数区的带- 详情>>
【英】PhotonicBand-Gap（简称PBG）解释1：光子带隙是指一种介质在另一种介质中周期排列所组成的周期结构。解释2：所谓的光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”。这一概念最初是在光学领域提出的，现在它的研究范围已扩展到微波与声波波段。应用：最初光子带隙结构的研究是在光学领域。它将阻止特定频段的光波传输。这种周期结构可以通过缩放尺寸关系扩展至很宽 详情>>
导带迁移率边和价带迁移率边之间称为迁移率带隙。 详情>>
基本概况带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电 详情>>
这是BJT的发射区因为重掺杂所带来的一种不良现象。（1）带隙变窄效应的产生机理：因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg，这就是带隙变窄效应。（2）带隙变窄效应的影响：这种由于重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度Ne的关系为（室温下）ΔEg=22.5(Ne/1018)1/2 详情>>
简介原理简介半导体的导带底与价带顶之差为Bandgap，如果你是在看半导体物理一类的书时遇到这个词，它就是这个意思——估计不是这种情况，否则就不用到这问了。Bandgapvoltagereference，常常有人简单地称它为Bandgap。是利用一个与温度成正比的电压与二极管压降之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的 详情>>
间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底 详情>>
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。————————直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过 详情>>
【英】PhotonicBand-Gap（简称PBG）解释1：光子带隙是指一种介质在另一种介质中周期排列所组成的周期结构。解释2：所谓的光子带隙是指某一频率范围的波不能在此周期性结构中传播，即这种结构本身存在“禁带”。这一概念最初是在光学领域提出的，现在它的研究范围已扩展到微波与声波波段。应用：最初光子带隙结构的研究是在光学领域。它将阻止特定频段的光波传输。这种周期结构可以通过缩放尺寸关系扩展至很宽 详情>>
导带迁移率边和价带迁移率边之间称为迁移率带隙。 详情>>
基本概况带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低带隙主要作为带隙基准的简称，带隙基准是所有基准电压中最受欢迎的一种，由于其具有与电源电压、工艺、温度变化几乎无关的突出优点，所以被广泛地应用于高精度的比较器、A/D或D/A转换器、LDO稳压器以及其他许多模拟集成电路中。带隙的主要作用是在集成电路中提供稳定的参考电 详情>>
这是BJT的发射区因为重掺杂所带来的一种不良现象。（1）带隙变窄效应的产生机理：因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带；当掺杂浓度很高时，能带尾和杂质能带扩展，以致使得能带尾和杂质能带重叠，结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg，这就是带隙变窄效应。（2）带隙变窄效应的影响：这种由于重掺杂所引起的带隙变窄量ΔEg与发射区掺杂浓度Ne的关系为（室温下）ΔEg=22.5(Ne/1018)1/2 详情>>
简介原理简介半导体的导带底与价带顶之差为Bandgap，如果你是在看半导体物理一类的书时遇到这个词，它就是这个意思——估计不是这种情况，否则就不用到这问了。Bandgapvoltagereference，常常有人简单地称它为Bandgap。是利用一个与温度成正比的电压与二极管压降之和，二者温度系数相互抵消，实现与温度无关的电压基准。因为其基准电压与硅的带隙电压差不多，因而称为带隙基准。实际上利用的 详情>>
间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。电子在k状态时的动量是（h/2pi）k，k不同，动量就不同，从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。硅和锗的价带顶Ev都位于布里渊区中心，而导带底 详情>>
直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。————————直接带隙半导体（Directgapsemiconductor）的例子：GaAs、InP半导体。相反，Si、Ge是间接带隙半导体。直接带隙半导体的重要性质：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过 详情>>
