“FQPF”查询结果_在线百科全书查询
主要参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：QFET&trade；FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)@25°；C：9.5A闸电荷(Qg)@Vgs：57nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：2040pF@25V功率-最大：50W安装类型：通孔封装/外壳：TO- 详情>>
基本信息：类别：晶体管晶体管极性:N漏极电流,Id最大值:4.5A电压,Vds最大:600V功耗:33W工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-220F功率,Pd:33W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压,Vds典型值:600V电流,Id连续:4.5A电流,Idm脉冲:18A表面安装器件:通孔安装阈值电压,Vgsth典型值:4V 详情>>
基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：QFET™FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)@25°C：6.3AId时的Vgs(th)（最大）：4V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs：25nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V功率-最 详情>>
基本参数：行情分析：基本参数：型号：FQPF8N60C晶体管极性:N漏极电流,Id最大值:7.5A电压,Vds最大:600V开态电阻,Rds(on):1.2ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:30V功耗:48W工作温度范围:-55°Cto+150°C封装：TO-220F行情分析：场效应管FQPF8N60C近期询价较为频繁，商家报价相应较为积极。华强北中国电子市场价格指数网数据显示：飞兆 详情>>
基本参数：相关型号：基本参数：类别：分离式半导体产品制造商FairchildSemiconductor配置：Single晶体管极性：N-Channel电阻汲极/源极RDS（导通）：1.55Ohms正向跨导gFS（最大值/最小值）：5.6S汲极/源极击穿电压：800V闸/源击穿电压：+/-30V漏极连续电流：8A功率耗散：59W最大工作温度：+150C安装风格ThroughHole封装/箱体：TO- 详情>>
基本信息：类别：晶体管晶体管极性:N漏极电流,Id最大值:4.5A电压,Vds最大:600V功耗:33W工作温度范围:-55°Cto+150°C封装类型:TO-220F功率,Pd:33W封装类型:TO-220F晶体管数:1晶体管类型:MOSFET电压,Vds典型值:600V电流,Id连续:4.5A电流,Idm脉冲:18A表面安装器件:通孔安装阈值电压,Vgsth典型值:4V 详情>>
基本参数：类别：分离式半导体产品家庭：MOSFET，GaNFET-单系列：QFET™FET型：MOSFETN通道，金属氧化物FET特点：标准型漏极至源极电压(Vdss)：200V电流-连续漏极(Id)@25°C：6.3AId时的Vgs(th)（最大）：4V@250µA闸电荷(Qg)@Vgs：25nC@10V在Vds时的输入电容(Ciss)：550pF@25V功率-最 详情>>
基本参数：行情分析：基本参数：型号：FQPF8N60C晶体管极性:N漏极电流,Id最大值:7.5A电压,Vds最大:600V开态电阻,Rds(on):1.2ohm电压@Rds测量:10V电压,Vgs最高:30V功耗:48W工作温度范围:-55°Cto+150°C封装：TO-220F行情分析：场效应管FQPF8N60C近期询价较为频繁，商家报价相应较为积极。华强北中国电子市场价格指数网数据显示：飞兆 详情>>
基本参数：相关型号：基本参数：类别：分离式半导体产品制造商FairchildSemiconductor配置：Single晶体管极性：N-Channel电阻汲极/源极RDS（导通）：1.55Ohms正向跨导gFS（最大值/最小值）：5.6S汲极/源极击穿电压：800V闸/源击穿电压：+/-30V漏极连续电流：8A功率耗散：59W最大工作温度：+150C安装风格ThroughHole封装/箱体：TO- 详情>>
