SI4800

基本信息

种类：绝缘栅(MOSFET)

沟道类型：N沟道

导电方式：增强型

用途：DC/直流

封装外形：P-DIT/塑料双列直插

材料：IGBT绝缘栅比极

开启电压：3（V）

夹断电压：1（V）

低频跨导：3（μS）

极间电容：2（pF）

低频噪声系数：4（dB）

最大漏极电流：2（mA）

最大耗散功率：1（mW）