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简介:
主要参数:
替代型号:
封装类型:
SI2301是二三级管的一种,属于场效应管。
晶体管类型 : P沟道MOSFET
最大功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:-2.3A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)
WT-2301 WTC2301 SMG2301 CES2301 KI2301BDS
SOT-23