郭维廉

郭维廉, 1929年生，天津市静海县人。1952年毕业于清华大学物理系，现任天津大学教授。曾任中电集团公司13研究所客座研究员、天津工业大学兼职教授、新南威尔士大学（UNSW）访问教授，国家科委发明奖励评审委员会委员等职务。为中国电子学会会士、IEEE终身会员、国务院特殊津贴获得者。

从1963年,他在天津大学就开始了半导体器件的教学和科学研究工作。在他的领导下建立了新型半导体器件及集成技术研究组，广泛深入地开展科研工作，取得了多项具有开创性的研究成果。

硅/二氧化硅（Si/SiO2)界面研究：提出用MOS结构C-V特性铅（Pb）压力接触电极和三点法测量界面电荷密度新方法、用脉冲C-t特性中点电容测量少子产生寿命的新方法；此外对Si/SiO2界面正面扩金、背面扩金和用HCL钝化机理进行了深入研究；编写出《硅-二氧化硅界面物理》全国统编教材。

P-N结击穿电压蠕变研究：提出了击穿电压蠕变新物理模型，克服了当时两种蠕变理论的不足，定义了表征击穿电压蠕变的物理参数，建立了击穿电压蠕变的完整理论，达到国际领先水平，被SCI和EI收录，被国内外书刊多次引用，获天津市自然科学二等奖；利用此理论解决了变容管存在的击穿电压蠕变问题，大幅度提高了产品成品率，获得天津市科技进步二等奖。

MIS隧道结器件研究：研制出超高电流增益MIS发射极双极晶体管，hFE高达30000，创当时世界最高纪录；在国内率先研制成功MIS太阳电池；进行了MIS发射极晶体管加速寿命试验，估算出该器件的使用寿命；撰写出专著《MIS隧道结与MIS隧道结器件》。

三端负阻器件及其应用的研究：设计研制出DUBAT、LBT、NEGIT等多种三端负阻器件；探索了该器件在高频和大功率领域中的应用；并提出一种新型硅三端负阻器件，申请了发明专利。

低温双极晶体管和低温BiCMOS集成电路研究：设计研制出在77K hFE为300的低温双晶极管；采用Si或GeSi双极/MOS混合模式晶体管作为低温双极管构成低温BiCMOS集成电路；提出并建立了多晶硅发射极晶体管统一器件物理模型，概括了多种不同结构的多晶硅发射极晶体管。

光电负阻器件的研究：将三端负阻器件与光电探测器相结合，首次提出光电负阻器件的概念，并首次提出三大类9种硅光电负阻器件具体器件结构；设计研制出三种主要的硅光电负阻器件PLBT、PNEGIT和PDUBAT；发现了其光控开关、光控正弦波振荡、光控脉冲调频等多种光控调制功能、探索了光电负阻器件实际应用，被鉴定为国际先进水平。

共振隧穿器件的研究：与13所和中科院物理所合作，在国内首次设计研制出在室温下电流峰谷比为7.6、振荡频率为54GHz的GaAs基共振隧穿二极管（RTD）和两种结构不同的共振隧穿晶体管（RTT），被评为国内第一只RTD和国内第一只RTT。提出并建立了RTT反相器统一模型；首次设计研制出新型平面RTD及其MOBILE电路；建立了RTD“表观正阻”物理机制模型；撰写了《共振隧穿器件及其应用》、《谐振隧穿器件及其数学集成电路》两本专著。

负阻异质结双极管（NDRHBT）和实空间电子转移晶体管（RSTT）的研究：在973项目支持下，设计研制出三种结构高电流峰谷比的NDRHBT，并发现在同一器件中存在恒压和恒流两种负阻工作模式和许多新的现象;设计研制出GaAs基双沟道RSTT器件，具有"入"型I-V特性和宽而平坦的谷值区，器件参数优于国外报导值；并用此RSTT构成MOBILE电路。

Inp基微环激光器的研究：在重点自然科学基金支持下，与13所合作在国内率先设计研制出低阀值无双向工作区的单向双稳态微环激光器，显示出较理想的电流控制双稳态激光开关特性，可用于全光随机存储。

与CMOS兼容硅基LED的研究：在重点自然科学基金项目支持下，设计了多种结构与CMOS工艺兼容的Si-LED器件，包括p-n结正向注入（红外光）和反向击穿（可见光）两种工作模式，两端和三端器件，和低、中、高三种工作电压；提出并研制一种p-n结正向注入、栅压调控、与超薄氧化层隧道结相结合的新型Si-LED，并申请了发明专利。

共计完成了包括973和自然科学重点基金的科研项目33个，科研经费400余万元、发表学术论文272篇，其中被EI，SCi收录的54篇，编写著作10部,获得发明专利5项，获省部级奖励4项、天津大学奖励4项，培养硕士生26名，博士生10名。