氮化硅砖

silicon nitride brick

以Si3N4为主要成分的特殊耐火材料制品。密度3.19g/cm3。膨胀系数小，为2.53×10-6/℃。1200℃下导热率18.4W/(mK)。热稳定性好，1200～2000℃热交换上千次不破坏。抗折强度可达200～700MPa，耐氧化温度1400℃，在还原气氛中可达1870℃。室温电阻率1.1×1014Ωm。采用硅粉氮化后烧结或热压方法制取。用于航空、冶金、机械、半导体等工业中制造高温轴承、冶金坩埚、半导体区域熔炼舟器等。