FM25L04
概述:
FM25L04是采用先进的铁电工艺制造的4K位非易失性存储器。铁电随机存储器(FRAM)具有非易失性,并且可以象RAM一样快速读写。FM25L04中的数据在掉电后可以保存45年。相对EEPROM或其他非易失性存储器,FM25L04具有结构更简单,系统可靠性更高等诸多优点。
与EEPROM系列不同的是,FM25L04以总线速度进行写操作,无须延时。数据发到FM25L04后直接写到具体的单元地址,下一个总线操作可以立即开始,无需数据轮询。此外,FM25L04的读/写次数几乎为无限次,比EEPROM高得多。同时,FM25L04的功耗也远比EEPROM低。
特性:
4Kbit 非易失性铁电存储器
结构容量为512 x 8位
读/写次数无限制
掉电数据保存10年
写数据无延迟
采用先进的高可靠性铁电制造工艺
高速串行外设接口- SPI
总线频率可达14MHz
硬件上可直接替换EEPROM
SPI模式0&3(CPOL,CPHA=0,0&1,1)
完备的写保护机制
硬件保护
软件保护
低功耗操作
工作电压:2.7-3.6V
待机电流:1uA
工业标准工业级
温度:-40 ℃ ~+85 ℃
8脚 SOIC封装和8脚 TDFN封装
环保/RoHS 封装