晶体管截止状态

晶体管的工作状态(工作模式)有放大状态、饱和状态、截止状态和反向放大状态四种.截止状态就是电流很小、基本上不导通的一种工作状态(工作模式).这种状态,不管是BJT(双极型晶体管),还是FET(场效应晶体管),都是一致的，都是代表关断的状态;在输出伏安特性曲线上,其范围都是处于最下面的小区域(紧靠横轴——电压轴).

(1)对于BJT:

BJT的截止状态就是发射结和集电极都是反偏的状态,输出电流当然很小;这是一种”关”态.在共基极组态中,该很小的输出电流也就是集电结的反向饱和电流Ibco;而在共发射极组态中,该很小的输出电流是E、C电极之间的所谓穿透电流Ieco.

一般,Ieco要比Ibco大得多.因为Ieco实际上也就是基极开路时的E、C电极之间的电流;而对于共发射极组态来说,即使基极开路,但发射结上还是加有正向电压、集电结上加有反向电压,即BJT仍然是处于放大状态,只不过这时通过发射结的”输入电流”是很小的Ibco,因此输出的集电极电流Ic就应该是: Ic=Ibco+βIbco=(1+β)Ibco.

(2)对于FET:

FET的截止状态就是没有沟道的状态,当然这时不会导电;通过的电流也就是漏结的反向饱和电流,非常小.这也是一种”关”态.

注意:FET的截止状态不同于其饱和状态(即放大状态).截止状态是根本不存在沟道的状态,而饱和状态是有沟道、但沟道在漏极一端被夹断了的状态;因此截止状态的输出电流很小,而饱和状态的输出电流很大.

此外,对于MOSFET,也要注意区分截止状态与亚阈状态这两种工作状态.亚阈状态是半导体表面多数载流子耗尽、能带弯曲,但又没有完全形成沟道的一种状态(又称为弱反型状态,这时耗尽层厚度尚未达到最大);因此在亚阈状态工作时,有较小的电流沿着表面流动、并受到栅极电压的控制,从而可用作为低功耗的开关.